A1171 éæçμè· ̄æ ̄ä ̧ä ̧ªå ̧¦æéåæ°åè3/4åºçè¶ çμæéå°æåºå1/4å ³ï1/4éç ̈åææå ̈æç£é±å ̈ãè ̄¥äº§åå ̄å ̈ä1/2çμæºçμæμåä1/2çμæºçμåä ̧è¿è¡ï1©/4éå ̧ ̧éåäºçμæ± é©±å ̈çμå产åãä1/2è¿è¡çμæºçμåï1/41.65 è ³ 3.5 Vï1/4åç¬ç¹çæ¶éç®æ³ï1/4å ̧®å©éä1/2å¹³åè¿è¡è1/2èãä3/4å¦ï1/4çμæºä ̧º 2.75 v æ¶ï1/4è1/2èä1/2äº 15 ÂμW ã
ä ̧æ ̄è3/4ä1/4 ç»çéå°æåºå1/4å ³ä ̧åçæ ̄ï1/4A1171 å è® ̧ç ̈æ ·é ç1/2®å ̈件æ¿ç£æ¹å1/4ãå ̈é»è®¤æ åμä ̧ï1/4è ̄¥å ̈件å°ä1/2¿ç ̈足å¤çåææåæç£åºå1/4ºåº¦ï1/4æ¿æ'»è3/4åºå1/4å ³ãéè¿å¤é ̈éæ©å1/4èï1/4å ̄å°æ¿ç£ ®è 3/4ç1/2®å ̈åææ ̈¡å1/4ä ̧è¿è¡ï1/4å¹¶ä» å ̈åææåæç£åºä ̧åæ¢ï1/4èä ̧è1/2å ̈ä ̧¤ä ̧ªæä ̧åæ¶åæ¢ãèä ̧ï1/4å1/2ç1/4ºå°ææç£åºæ¶ï1/4å ̄å° A1171 çè3/4åºé ç1/2®ä ̧ºå ³ææææå1/4ãæåï1/4A1171 å ·æä ̧¤ç§æ ̈æ1/2è3/4åºç»æã
ä ̧åç£æå1/2±ååæä1/2çåçè¦æ±ï1/4å è® ̧ A1171 è1/2»æ3/4æ'æ¢ç°§çå1/4å ³ï1/4æä3/4æ'é«çå ̄é æ§ä ̧ä3/4¿äºå¶é ï1/4ä»èéä1/2å ̄¹ä¿¡å·è°èçè¦æ±ã
ç ̈³å®æ©æ³¢ï1/4å ̈æå移åæ¶ï1/4å ̄æåç ̈³å®æ§ï1/4éä1/2éå ̧ ̧ç±å ̈ä»¶è¶ æ ̈¡åãæ ̧©åº¦ä3/4åæ§ååºåå1/4èμ·çå©ä1/2å移çμåãè ̄¥å ̈件å°éå°å çμæºãå°åä¿¡å·æ3/4大å ̈ãç ̈³å®æ©æ³¢ç¹æ§ãéåå MOSFET è3/4åºæ'åå ̈åç¡ çä ̧ã
A1171 å ̈件æä3/4ç£æ§ä1/4å解å³æ¹æ¡ï1/4éç ̈äºå¤§å¤æ°åºç ̈ãEWç±»åå°è£ ï1/4æé«ä ̧º 0.40 mmï1/4æä3/4æ é è¡ ̈é¢å®è£ 解£££££¹áã ̄¥å è£ ä ̧ºæ é 产å ï1/4ä ̧å1/4èæ¡éç ̈ NiPdAuçμéã
- å ̈ 1.65 è³ 3.5 V çμæ± çμåä¹é'å·¥ä1/2
- ä1/2çμæºçμæμ
- é«çμæï1/4BOP å ̧åä ̧º 30 G (3.0 mT)
- åææåæè¿è¡
- å ̄é ç1/2®åææå ̈æç£æåº
- äºè¡¥ãæ ̈æ1/2è3/4åº
- ç ̈³å®æ©æ³¢
- è¶ åçæ ̧©åº¦ç ̈³å®æ§
- æä1/2çå1/4å ³ç¹æ1/4移
- å ̄¹ç©çåºåä ̧ææ
- åºæå ̄é æ§
- å°å°ºå ̄ ̧