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8113
| 3M | 2019 | è¿æ¥å ̈ | 3M å ̈æ°åè£ è¿å£ å 纤è¿æ¥å ̈ |
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B81130C1105M
| TDK Epcos | 17+ | DIP | 1UF 275V x2 P27.5 èèçμå¹® EPCOSåè£ è¿å£ |
|
DS8113-RJX
| GRUNDSATZ | 12+ | TSSOP | ä1/2åèãä1/2ä»·æ 1/4æºè1/2å¡æ¥å£ |
|
ISL28113
| INTERSIL | 12+ | SOT23-5 | åéç ̈å3/4®åèï1/4è1/2 ̈å°è1/2 ̈è3/4å ¥è3/4åºè¿ç®æ3/4大å ̈ |
|
AD8113JSTZ
| ADI | 15+ | 100 ld LQFP | 60 MHzã16 × 16é³é¢/è§é¢äº¤åç¹å1/4å ³ |
|
IRLR8113
| IR | 05+ | TO-252 | å ̈æ°åè£ |
|
AD8113JST
| INSERAT | 04+ | QFP | å ̈æ°åè£ |
|
IRF8113
| IR | O4 | SOP-8P | å ̈æ°åè£ ç°è'§ç°è'§ |
|
IRF8113PBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8113TR mit bleifreier Verpackung |
|
IRF8113TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8113TR mit bleifreier Verpackung |
|
IRLU8113PBF
| IR | 10+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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MOC8113
| TÜV | 99 | DIP | Nï1/4A |
|
IRLR8113TRLPBF
| IR | 10+ | D-pak | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ein IRLU8113 mit Tape & Reel Paket |
|
IRLR8113TRPBF
| IR | 10+ | D-pak | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ein IRLU8113 mit Tape & Reel Paket |
|
IRLR8113PBF
| IR | 10+ | D-pak | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ein IRLU8113 mit Tape & Reel Paket |
|
IRLR8113TRRPBF
| IR | 10+ | D-pak | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ein IRLU8113 mit Tape & Reel Paket |
|
AD8113AST
| INSERAT | 04+ | QFP | å ̈æ°åè£ |
|
IRL8113LPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
|
IRL8113STRLPBF
| IR | 10+ | D2-pak | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
|
IRL8113STRRPBF
| IR | 10+ | D2-pak | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
çé ̈æç'¢
MAXIMåç产åæ ̈è
| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
ICL7129ACQH+D
| Grundsatz | 11+ | PLCC-44 | éæçμè· ̄IC |
|
DS1626U
| GRUNDSATZ | 12+ | EINTUNKEN | ææ ̧©å ̈ |
|
MAXQ1850
| GRUNDSATZ | 10+ | QFN40 | ®å å ̈å å ̄æ§å¶å ̈ï1/4æä3/4å¿«éæ ̧ é¶ææ ̄ |
|
MAX6374KA-T
| GRUNDSATZ | 10+11+ | GRUNDSATZ | éæçμè· ̄ï1/4ICï1/4 |
|
MAX6192CESA
| GRUNDSATZ | 12+ | SOP8 | ADè1/2¬æ¢å ̈ |
|
MAX9633ASA+
| GRUNDSATZ | 12+ | EINTUNKEN | ä¿¡å·è°ç |
|
MAX7426EUA
| GRUNDSATZ | 11+ | | ï1/4 5é¶ï1/4ä1/2éï1/4æ¤åï1/4å1/4å ³çμ容滤波å ̈ |
|
MAX4382EEE
| GRUNDSATZ | 12+ | 16-QSOP | Hochgeschwindigkeits-Operationsverstärker 210 MHz mit Einzelversorgung und Rail-Rail-Ausgang |
|
MAX44280
| GRUNDSATZ | 12+ | SC70 | 1.8Vï1/450MHzæ¶ï1/4ä1/2失è°ï1/4ä1/2åèï1/4è1/2 ̈å°è1/2 ̈æè3/4å ¥/è3/4åºè¿ç®æ3/4大å ̈ |
|
MAX812MEUS-T
| GRUNDSATZ | 12+ | SOT-143 | çæ§çμè· ̄ IC VOLT MON W/RESET-4 |
|
MAX17075ETG+
| GRUNDSATZ | 10+11+ | QFN24 | åè£ ç°è'§ |
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MAX7359
| GRUNDSATZ | 11+ | QFN24 | 2线æ¥å£ãä1/2EMIé®çå1/4å ³æ§å¶å ̈/GPO |
|
MAXQ3180
| GRUNDSATZ | 12+ | EINTUNKEN | ä1/2åèï1/4å¤åè1/2ï1/4å¤ç ̧AFE |
|
MAX4221CSE
| GRUNDSATZ | 11+ | SOP-16 | 330MHzç1/4å²è§é¢å1/4å ³/交åç¹ç§ ̄æ ̈ |
|
71M6534H
| GRUNDSATZ | 12+ | LQFP | çμè1/2è¡ ̈IC |
|
71M6533H
| GRUNDSATZ | 12+ | LQFP | çμè1/2è¡ ̈IC |
|
71M6533G
| GRUNDSATZ | 12+ | LQFP | çμè1/2è¡ ̈IC |
|
Artikel-Nr.: 71M6533
| GRUNDSATZ | 12+ | LQFP | çμè1/2è¡ ̈IC |
|
Artikel-Nr.: 71M6532F
| GRUNDSATZ | 11+ | EINTUNKEN | çμè1/2è¡ ̈IC |
|
71M6532D
| GRUNDSATZ | 11+ | EINTUNKEN | çμè1/2è¡ ̈IC |