å¶é å: National Semiconductor (TI)
RoHS: å¦
ééæ°é: 1
è3/4å ¥è¡¥å¿çμå: 4,5 mV bei +/- 5 V
®å è£ é£æ 1/4: Durchgangsloch
å°è£ / ç®±ä1/2: CDIP-8
è1/2¬æ¢é度: 3100 V/us bei +/- 5 V
å ³é: Nein
æ大工ä1/2æ ̧©åº¦: + 125 C
æå°å·¥ä1/2æ ̧©åº¦: - 55 C
çμæºçμæμ: 15 mA bei +/- 5 V
ææ ̄: BiCOM