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K4T1G084QE
| SAMSUNG | 11+ | BGA (Englisch) | DDR |
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SPMWHT221MD5WAT0S0
| Samsung (Englisch) | 10+ | [A1T2S2] | ç»çμå2.8-2.9Vï1/4è²æ ̧©4000Kï1/465(æ ̄«å®)ä ̧å éé24.10-27.72ï1/4æμæï1/4 |
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CL21B474KOFNNNF
| SAMSUNG | 10+ | | OBERFLÄCHENMONTIERBARE MONOKERAMIK-KAPPE |
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CL21B102KBANNNC
| SAMSUNG | 10+ | | OBERFLÄCHENMONTIERBARE MONOKERAMIK-KAPPE |
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CL21B473KBCNNNC
| SAMSUNG | 10+ | | OBERFLÄCHENMONTIERBARE MONOKERAMIK-KAPPE |
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CL31C270JBCNNNC
| SAMSUNG | 10+ | | OBERFLÄCHENMONTIERBARE MONOKERAMIK-KAPPE |
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CL31B105KOFNNNE
| SAMSUNG | 10+ | | KERAMIK-CHIPKAPPEN MIT HOHEM CV |
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CL03A105MQ3CSNH
| SAMSUNG | 10+ | | KERAMIK-CHIPKAPPEN MIT HOHEM CV |
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CL21B104KACNNNC
| SAMSUNG | 10+ | SMD | KONDENSATOR, 0,1 UF 50 V CERM-CHIP, 0805 Z5U |
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CL31A476MQHNNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | SILIZIUM-TRANSISTOREN |
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CL10C220JB8NNNC
| SAMSUNG | 10+ | NA | CAP SMT 22PF 50V 5% NPO 0603 |
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CL10B105KO8NNNC
| Samsung (Englisch) | 10+ | SMD | 1NF 50V X7R KAPAZITÄT, KERAMIK CMS0603 |
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CL32A106KATLNNE
| SAMSUNG | 10+ | | ï1/4 INDUKTIVITÄTEN FÜR POWER LINE SMD |
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CL31A226MQHNNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | SILIZIUM-TRANSISTOREN |
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CL05B103KO5NNNC
| SAMSUNG | 10+ | SMD | MÜTZE. CER .01MFD 16V 10% X7R |
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CL05B104KO5NNNC
| SAMSUNG | 10+ | SMD | CAP,SMT,0402,100N,10%,16V,X7R |
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CL31B475KAHNNNE
| SAMSUNG | 10+ | | KONDENSATOR, 0,47UF/25V 1206 20% |
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CL32B226MQJNNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | Aluminium-Elektrolytkondensator; Kondensatortyp: Hohe Temperatur; Nennspannung: 160 VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Aluminium-Elektrolyt; Betrieb |
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CL21A475KPFNNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | CAP 22PF 50V 5% NP0(C0G) SMD-0805 TR-7 BESCHICHTET-NI/SN |
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CL31B106KOHNNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | CAP CER 1000PF 10% 50V X7R 1206 |