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CL10B105KO8NNNC
| Samsung (Englisch) | 10+ | SMD | 1NF 50V X7R KAPAZITÄT, KERAMIK CMS0603 |
CL32A106KATLNNE
| SAMSUNG | 10+ | | ï1/4 INDUKTIVITÄTEN FÜR POWER LINE SMD |
CL31A226MQHNNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | SILIZIUM-TRANSISTOREN |
CL05B103KO5NNNC
| SAMSUNG | 10+ | SMD | MÜTZE. CER .01MFD 16V 10% X7R |
CL05B104KO5NNNC
| SAMSUNG | 10+ | SMD | CAP,SMT,0402,100N,10%,16V,X7R |
CL31B475KAHNNNE
| SAMSUNG | 10+ | | KONDENSATOR, 0,47UF/25V 1206 20% |
CL32B226MQJNNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | Aluminium-Elektrolytkondensator; Kondensatortyp: Hohe Temperatur; Nennspannung: 160 VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Aluminium-Elektrolyt; Betrieb |
CL21A475KPFNNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | CAP 22PF 50V 5% NP0(C0G) SMD-0805 TR-7 BESCHICHTET-NI/SN |
CL31B106KOHNNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | CAP CER 1000PF 10% 50V X7R 1206 |
CL31C391JBCNNNC
| SAMSUNG | 10+ | SMD | SILIZIUM-TRANSISTOREN |
CL10A106MQ8NNNC
| SAMSUNG | 10+ | SMD | Diode mit extrem niedrigem Durchlassspannungsabfall |
CL31B104KBCNNNC
| SAMSUNG | 10+ | SMD | KAPPE, CER ML, 0,1 UF, X7R, 1206 |
CL32B106KAULNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | Aluminium-Elektrolytkondensator; Kondensatortyp: Hohe Temperatur; Nennspannung: 160 VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Aluminium-Elektrolyt; Betrieb |
CL32A476MQJNNNE
| SAMSUNG | 10+ | | INDUKTIVITÄTEN FÜR POWER LINE SMD |
CL32A226MOJNNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | INDUKTIVITÄTEN FÜR POWER LINE SMD |
CL10A226MQ8NRNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | Diode mit extrem niedrigem Durchlassspannungsabfall |
CL31B474KBHNNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | KONDENSATOR, 0,47UF/25V 1206 20% |
CL32A107MQVNNNE
| SAMSUNG | 10+ | SMD | |
CL10B474KO8NNNC
| SAMSUNG | 10+ | 0603 | 470 PF 10% 50V X7R 0603 CHIP-KAPPE |
CL05A105KP5NNNC
| SAMSUNG | 10+ | Smd | NPN PLANARES EPITAXIALES KOMPLEMENTÄRPAAR AUS SILIZIUM, DAS SPEZIELL FÜR 1-WATT-AUDIOVERSTÄRKERAUSGANGS- UND SCHALTANWENDUNGEN ENTWICKELT WURDE |