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CL31A226MQHNNNE

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CL31A226MQHNNNE

SILIZIUM-TRANSISTOREN

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595D476X06R3A2T SPP10+SMDKAPPE SMD TANT 47UF 10V 20% B GEHÄUSE NIEDRIG ESR
GRM1885C1H152JA01D MURATA10+SMDCAP 1500PF 50V 5% C0G SMD-0603 TR-7-PA SN100
12065C124JAT2A AVX10+SMDCAP 0.12UF 50V 10% X7R SMD-1206 TR-7 BESCHICHTET-NI/SN
Artikel-Nr.: 1206AC222KAT1A AVX10+SMDKeramischer Mehrschichtkondensator; Kapazität: 2200 pF; Kapazitätstoleranz:+/- 10 %; Betriebsspannung, DC: 1000 V; Dielektrische Charakteristik: X7R; Paket/ca
CL32A106KATLNNE SAMSUNG10+ ï1/4 INDUKTIVITÄTEN FÜR POWER LINE SMD
Artikel-Nr.: 12106D476KAT2A AVX10+SMDCAP 47UF 6.3V 10% X5R SMD-1210 TR-7 BESCHICHTET-NI/SN
Artikel-Nr.: 12067C103KAT2A AVX10+SMDCAP 0.01UF 500V 10% X7R SMD-1206 TR-7 BESCHICHTET-NI/SN
593D226X9020C2TE3 SPP10+SMDSM CAP/TNLM 22UF 25V 10% 7343
Artikel-Nr.: 893D156X0025D2TE3 SPP10+SMD5-polige μP-Überwachungsstromkreise mit Watchdog und manueller Rückstellung
Artikel-Nr.: 12065C474KAT2A AVX10+SMDCAP 0.47UF 50V 10% X7R SMD-1206 TR-7 BESCHICHTET-NI/SN

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+ç»§çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINK飿å¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æç®¡æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+ç»§çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

SAMSUNGåçäº§åæ ̈è


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CL05B103KO5NNNC SAMSUNG10+SMDMÜTZE. CER .01MFD 16V 10% X7R
CL05B104KO5NNNC SAMSUNG10+SMDCAP,SMT,0402,100N,10%,16V,X7R
CL31B475KAHNNNE SAMSUNG10+ KONDENSATOR, 0,47UF/25V 1206 20%
CL32B226MQJNNNE SAMSUNG10+SMDAluminium-Elektrolytkondensator; Kondensatortyp: Hohe Temperatur; Nennspannung: 160 VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Aluminium-Elektrolyt; Betrieb
CL21A475KPFNNNE SAMSUNG10+SMDCAP 22PF 50V 5% NP0(C0G) SMD-0805 TR-7 BESCHICHTET-NI/SN
CL31B106KOHNNNE SAMSUNG10+SMDCAP CER 1000PF 10% 50V X7R 1206
CL31C391JBCNNNC SAMSUNG10+SMDSILIZIUM-TRANSISTOREN
CL10A106MQ8NNNC SAMSUNG10+SMDDiode mit extrem niedrigem Durchlassspannungsabfall
CL31B104KBCNNNC SAMSUNG10+SMDKAPPE, CER ML, 0,1 UF, X7R, 1206
CL32B106KAULNNE SAMSUNG10+SMDAluminium-Elektrolytkondensator; Kondensatortyp: Hohe Temperatur; Nennspannung: 160 VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Aluminium-Elektrolyt; Betrieb
CL32A476MQJNNNE SAMSUNG10+ INDUKTIVITÄTEN FÜR POWER LINE SMD
CL32A226MOJNNNE SAMSUNG10+SMDINDUKTIVITÄTEN FÜR POWER LINE SMD
CL10A226MQ8NRNE SAMSUNG10+SMDDiode mit extrem niedrigem Durchlassspannungsabfall
CL31B474KBHNNNE SAMSUNG10+SMDKONDENSATOR, 0,47UF/25V 1206 20%
CL32A107MQVNNNE SAMSUNG10+SMD 
CL10B474KO8NNNC SAMSUNG10+0603470 PF 10% 50V X7R 0603 CHIP-KAPPE
CL05A105KP5NNNC SAMSUNG10+SmdNPN PLANARES EPITAXIALES KOMPLEMENTÄRPAAR AUS SILIZIUM, DAS SPEZIELL FÜR 1-WATT-AUDIOVERSTÄRKERAUSGANGS- UND SCHALTANWENDUNGEN ENTWICKELT WURDE
CL21A226MQQNNNE SAMSUNG10+SMDTRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1,5A I(C) GRÖSSE | TO-39
K9MCG08U5M-PCB0 SAMSUNG08+TSOP48å åè ̄ç
K9F2G08U0A-PCB0 SAMSUNG11+TSSOPNAND-BLITZ

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