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CL32B106KAULNNE
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CL32B106KAULNNE

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  • 产åå称ï1/4Aluminium-Elektrolytkondensator; Kondensatortyp: Hohe Temperatur; Nennspannung: 160 VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Aluminium-Elektrolyt; Betrieb
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CL32B106KAULNNE

Aluminium-Elektrolytkondensator; Kondensatortyp: Hohe Temperatur; Nennspannung: 160 VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Aluminium-Elektrolyt; Betriebstemperaturbereich: -20 C bis ? C; Kapazität: 33uF RoHS-konform: Nein

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293D475X9020A2TE3 VISHAY10+ Tantal-Kondensator; Kondensatortyp: Feststoff; Nennspannung: 20 VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Tantal; Kapazität: 4,7 uF; Kapazitätstoleranz: +/- 1
AZ23C8V2 DIODEN11+SMDåå ±é³æé ç1/2®ä ̧çé1/2纳äºæ管
Artikel-Nr.: 293D225X9035B2TE3 VISHAY10+ Tantal-Kondensator; Kondensatortyp: Feststoff; Nennspannung: 35VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Tantal; Kapazität: 2,2 uF; Kapazitätstoleranz: +/- 1
592D477X96R3C2T16H VISHAY2018+SMDFeststoff-Tantal-Chip-Kondensatoren; GLEICHBEDEUTEND®; Niedriges Profil; Maximaler CV; Erweiterte Reichweite; Schutzbeschichtet
595D107X0020R2T VISHAY10+SMDTantal-Kondensator; Kondensatortyp: Feststoff; Nennspannung: 20 VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Tantal; Kapazität: 100uF; Kapazitätstoleranz: +/- 2
595D106X9020B2T VISHAY10+NATantal-Kondensator; Kondensatortyp: Feststoff; Nennspannung: 25VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Tantal; Kapazität: 10uF; Kapazitätstoleranz: +/- 10
TAJC226K010RNJ AVX10+SMDCAP 22UF 10V 10% TANT SMD-6032-28 TR-7
TAJB226K020RNJ AVX10+SMDTantal-Elektrolytkondensator; Kapazität: 22uF; Kapazitätstoleranz:+/- 10 %; Betriebsspannung, DC: 20 V; Paket/Gehäuse:3528-21; Anschlusstyp: PCB SM
594D156X0050R2T VISHAY10+SMDTantal-Kondensator; Kondensatortyp: Feststoff; Nennspannung: 50 VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Tantal; Kapazität: 15uF; Kapazitätstoleranz: +/- 20
Artikel-Nr.: 293D106X0025C2TE3 VISHAY10+SMDTantal-Kondensator; Kondensatortyp: Feststoff; Nennspannung: 25VDC; Dielektrisches Material des Kondensators: Tantal; Kapazität: 10uF; Kapazitätstoleranz: +/- 20

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CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDKappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æ座 RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1 TE2023+DIP继çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·

SAMSUNGåç产åæ ̈è


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CL32A476MQJNNNE SAMSUNG10+ INDUKTIVITÄTEN FÜR POWER LINE SMD
CL32A226MOJNNNE SAMSUNG10+SMDINDUKTIVITÄTEN FÜR POWER LINE SMD
CL10A226MQ8NRNE SAMSUNG10+SMDDiode mit extrem niedrigem Durchlassspannungsabfall
CL31B474KBHNNNE SAMSUNG10+SMDKONDENSATOR, 0,47UF/25V 1206 20%
CL32A107MQVNNNE SAMSUNG10+SMD 
CL10B474KO8NNNC SAMSUNG10+0603470 PF 10% 50V X7R 0603 CHIP-KAPPE
CL05A105KP5NNNC SAMSUNG10+SmdNPN PLANARES EPITAXIALES KOMPLEMENTÄRPAAR AUS SILIZIUM, DAS SPEZIELL FÜR 1-WATT-AUDIOVERSTÄRKERAUSGANGS- UND SCHALTANWENDUNGEN ENTWICKELT WURDE
CL21A226MQQNNNE SAMSUNG10+SMDTRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1,5A I(C) GRÖSSE | TO-39
K9MCG08U5M-PCB0 SAMSUNG08+TSOP48å åè ̄ç
K9F2G08U0A-PCB0 SAMSUNG11+TSSOPNAND-BLITZ
K4B1G0846F-HCH9 Samsung (Englisch)10+BGA (Englisch)å 纤 åè£
K4B2G0446B-HCH9 Samsung (Englisch)10+GBAçμæºè ̄ç
K4D263238K-VC40 Samsung (Englisch)ï1/4ï1/4+BGA (Englisch)çμæºè ̄ç
K4D263238K-UC50 Samsung (Englisch)10+DIPéæçμè· ̄IC
K9F1208UOC-PCB0 SAMSUNG10+TSOP-48 
K4T1G164QE-HCE7 SAMSUNG10+BGA (Englisch) 
K6X0808C1D-DF55 SAMSUNG10+11+  
K6X0808C10-GF55 SAMSUNG10+11+EINTUNKEN 
K4S281632E-TC60 SAMSUNG10+11+TSOP54é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
K4S643232H-UC70 SAMSUNG10+11+TSSOP86é¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£

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