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BZV55-C8V2,115
| NXP (Englisch) | 10+ | PBFREE | Dioden für Spannungsregler |
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PMBD7000.215
| NXP (Englisch) | 10+ | PBFREE | Hochgeschwindigkeits-Doppeldiode (åé«éäºæ管 |
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PMBT2222A.215
| NXP (Englisch) | 10+ | 11+ | NPN-Schalttransistoren |
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BAS70,215
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | Schottky-Barriere (doppelt) Dioden (èç¹åºå¿åï1/4åï1/4äºæ管) |
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BAS21.215
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-23 | Allzweck-Dioden(éç ̈äºæ管) |
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BC847B,215
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-223 | NPN-Allzweck-Transistor |
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BAS316,115
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | Hochgeschwindigkeits-Dioden( é«éäºæ管) |
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BC857B,215
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | PNP Allzwecktransistor (PNPéç ̈æ¶ä1/2管) |
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BC817-40.215
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT23 | NPN Allzweck-Verstärker (NPNéç ̈æ3/4大å ̈) |
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PH4830L.115
| NXP (Englisch) | 10+ | Standardpac | N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 84 A; Qgd (typisch): 5,4 nC; RDS(ein):[email protected]V 4,8@10 V mOhm; VDSmax: 30 V |
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869.115 BC
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT89 | PNP Transistor mittlerer Leistung(PNPä ̧çåçæ¶ä1/2管) |
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BAV99S,115
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden; Gehäuse: PG-SOT363-6; Konfiguration: Vierfach; VR (max): 80,0 V; WENN (max): 200,0 mA; IR (max): 150,0 nA; TRR (max): 4,0 |
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BAS16.215
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT23-3 | Hochgeschwindigkeits-Dioden( é«éäºæ管) |
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PMEG4020EP.115
| NXP (Englisch) | 10+ | PBFREE | 2 A Low Vf MEGA Schottky-Barrier-Gleichrichter, SOD128 (FlatPower), Reel Pack, SMD |
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BC847C,215
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | NPN-Allzweck-Transistor |
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SA58631
| NXP (Englisch) | 10+ | HVQFN8 | SA58631 Serie 6 db - 30 db Gain 3 W BTL Audioverstärker - HVSON - 8 |
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ASC8850
| NXP (Englisch) | 10+ | å1/4åæ¿ | asc8850 é«æ ̧ æåæºå1/4åå H.264 1080P |
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PESD3V3L5UY
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT363 | |
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HEF4073BP
| NXP (Englisch) | 09+ | DIP | é»è3/4è ̄çï1/43线è3/4å ¥ |
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PNX1302EH
| NXP (Englisch) | 10+ | QFN | æ§å¶å ̈ |