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| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
BSP89,115
| PH3 | 10+ | | N-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs (20 V bis 800 V); Gehäuse: PG-SOT223-4; Gehäuse: SOT-223; VDS (max): 240,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6.000,0 mOhm; RDS (ein) ( |
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BAS316,115
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | Hochgeschwindigkeits-Dioden( é«éäºæ管) |
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HSMF-C118
| AVAGO | 10+ | SMD | Dreifarbiger Oberflächen-ChipLED für die Top-Montage |
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SML-LX1206SIC-TR
| LUMEX | 10+ | | ; Farbe: Super Intensity Red; Linsenfarbe: Klar; Lichtstärke (MSCP):70; Betrachtungswinkel:140; Durchlassspannung: 2,6 V; LED-Farbe: Super Intensität Rot; L |
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IRF9640STRLPBF
| IR | 10+ | TO-263 | MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK |
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555-2009F
| DLT | 10+ | PBFREE | LED-Lampe; Farbe: Rot; Kompatibel mit bleihaltigen Prozessen: Ja |
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BAR64V-02V
| VISHAY | 03+ | SOD523 | |
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PBSS302PZ.135
| PH3 | 10+ | SOT-223 | 20 V, 5,5 A PNP Low VCEsat (BISS) Transistor |
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BC857B,215
| NXP (Englisch) | 10+ | Band | PNP Allzwecktransistor (PNPéç ̈æ¶ä1/2管) |
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SI3585DV-T1-E3
| VISHAY | 10+ | TSOP-6 | MOSFET; Polarität des Transistors: Dualer Öffner / P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds:20V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:19A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,2ohm; Rds(an) |
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