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IRF7303TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050ã ) |
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IRF7303PBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050ã ) |
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IRF7101PBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7101TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF995IRF7101TRPBF6TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7101TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF7313QTRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7313QPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7303QTRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7303QPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF9956PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFH7932TRPBF
| IR | 10+ | QFN-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem PQFN-Gehäuse; Ähnlich wie IRFH7923PBF auf Band und Rolle geliefert werden |
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IRFH7923TRPBF
| IR | 10+ | QFN-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem PQFN-Gehäuse; Ähnlich wie IRFH7923PBF auf Band und Rolle geliefert werden |
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IRFH7936TRPBF
| IR | 10+ | QFN8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5 mm x 6 mm PQFN-Gehäuse |
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IRFH7914TRPBF
| IR | 10+ | QFN8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5 mm x 6 mm PQFN-Gehäuse |
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IRFH7921TRPBF
| IR | 10+ | QFN8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5 mm x 6 mm PQFN-Gehäuse |
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IRFH7932PBF
| IR | 10+ | TDSON8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5 mm x 6 mm PQFN-Gehäuse |
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IRFH7934TRPBF
| IR | 10+ | QFN8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5 mm x 6 mm PQFN-Gehäuse |
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IRFH7928TRPBF
| IR | 10+ | QFN8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5 mm x 6 mm PQFN-Gehäuse |
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IRFH7911TRPBF
| IR | 10+ | QFN | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 3 mm x 3 mm PQFN-Gehäuse |
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IRFH3707TRPBF
| IR | 10+ | QFN-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 3 mm x 3 mm PQFN-Gehäuse |
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IRFH3702TRPBF
| IR | 10+ | IPAK | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 3 mm x 3 mm PQFN-Gehäuse |