产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ
IRF3711STRLPBF
- æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
- 产åå称ï1/4SMPS MOSFET HEXFETã ¢ Power MOSFET
- ååï1/4الاشعه تحت الحمراء
- ç产æ¹å·ï1/42010+
- å°è£ ï1/4إلى 263
- åºåç¶æï1/4æåºå
- åºåéï1/49000
- æä1/2订è'éï1/41
- è ̄¦ç»èμæï1/4
-
IRF3711STRLPBFSMPS MOSFET HEXFETã ¢ Power MOSFET
ä ̧IRF3711STRLPBFç ̧å ³çICè¿æï1/4
| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IRF3711STRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2010+ | إلى 263 | SMPS MOSFET HEXFETã ¢ Power MOSFET |
çé ̈æç'¢
| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
SHKE470-110-م
| ليتش | 25+ | 继μå ̈ | 继μå ̈座 |
|
SHKED470-110-م
| ليتش | 25+ | 继μå ̈ | 继μå ̈座 |
|
ADIS16575-2BMLZ
| الاعلان | 25+ | الوحده النمطيه | 6 وحدات حماية من الحقوق الأولية IMU ، 8 جرام (450 DPS D |
|
ن / MS3108B20-4 ف
| JAE للإلكترونيات | 2025+ | è¿æ¥å ̈ | موصل دائري ، 4 جهات اتصال (جهات اتصال) ، راتنج اصطناعي ، ذكر ، محطة لحام ، قابس |
|
62 بوصة 18 ف-10-6 ثانية
| شركة أمفينول | 2025+ | è¿æ¥å ̈ | قابس موصل موصل دائري مقاس 10 |
|
NLS-N-BK-C70-M40BEPN250
| آي تي تي | 24+ | è¿æ¥å ̈ | NLS-N-BK-C70-M40B EPN250 |
|
V93BR
| مورس سميت | 24+ | è¿æ¥å ̈ | V93BRæ座-èºéç« ̄åï1/4è1/2 ̈éå®è£ 8æ |
|
الإصدار 17-D
| مورسميت | 24+ | 继μå ̈ | 继μå ̈æ座æå1/4¹ç°§« ̄å |
|
VGE1TS181900L
| سوريو صن بنك | 24+ | è¿æ¥å ̈ | الغلاف الخلفي الدائري MIL Spec BACKSHELL SZ18 |
|
KEYSTONE26
| كيستون للإلكترونيات | 24+ | è¿æ¥å ̈ | العيينة 0.187 "مطلي بالصفيح النحاسي |
|
KPSE06E14-19SA206
| آي تي تي | 24+ | è¿æ¥å ̈ | كون تعميم SKT 19 POS تجعيد ST كابل جبل 19 ميناء 1 |
|
KPSE06J14-19 ص
| آي تي تي | 24+ | è¿æ¥å ̈ | موصل مواصفات MIL الدائري KPSE 19C 19 # 20 PIN PLUG |
|
W-1-005-4STUD
| تي آند إم | 24+ | تراجع | SERIES W - مدخل مسمار - 4 نوع مسمار |
|
ABBH2214SDAM
| موصلات AB | 2024+ | è¿æ¥å ̈ | è¿æ¥å ̈å°3/4管 |
|
C193A/24EV-U1
| æ²å°ç¹å® | 25+ | تراجع | الجهد االكهربى 1100 فولت تيار كهربائي 50Aæ¥è§¦å ̈ / ä1 / 4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä» |
|
C195A/24EC-U2
| æ²å°ç¹å® | 25+ | تراجع | æ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä» |
|
D-U204-E
| مورس سميت | 24+ | تراجع | ç¬æ¶ç»§μå ̈ |
|
PW620-18D / 2S / R / KS135
| FSG | 24+ | تراجع | Stellungsferngeberä1/2ç1/2®ä1/4 æå ̈çμä1/2å ̈ |
|
ST1-DC12V-F
| المكونات الإلكترونية من باناسونيك | 24+ | تراجع | مرحل الطاقة 12VDC 5DC / 8AAC SPST-NO / SPST-NC (31 مم 14 مم 11.3 مم) THT |
|
MER1S1505SC
| مراطة لحلول الطاقة | 24+ | تراجع | محول تيار مستمر 5 فولت 1 واط |
IRåç产åæ ̈è
| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IRF3711SPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2010+ | إلى 263 | SMPS MOSFET HEXFETã ¢ Power MOSFET |
|
IRL3715STRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2010+ | إلى 263 | SMPS MOSFET HEXFETã ¢ Power MOSFET |
|
IRL3715STRRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2010+ | إلى 263 | SMPS MOSFET HEXFETã ¢ Power MOSFET |
|
IRL3715SPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2010+ | إلى 263 | SMPS MOSFET HEXFETã ¢ Power MOSFET |
|
IRL3714STRRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2010+ | D2-باك | SMPS MOSFET HEXFETã ¢ Power MOSFET |
|
IRL3714STRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2010+ | D2-باك | SMPS MOSFET HEXFETã ¢ Power MOSFET |
|
IRL3714SPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2010+ | D2-باك | SMPS MOSFET HEXFETã ¢ Power MOSFET |
|
IRF3704STRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2010+ | سوت -263 | åçåºæåºç®¡ |
|
IRF3706STRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 2010+ | سوت -263 | 20 فولت أحادي N-قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3706STRR مع عبوة خالية من الرصاص على الشريط والبكرة اليمنى |
|
IRF3706SPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى 263 | 20 فولت أحادي N-قناة HEXFET الطاقة MOSFET في حزمة D2-Pak ؛ مماثل ل IRF3706S مع تغليف خال من الرصاص |
|
IRF3704STRRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | إلى 263 | HEXFET السلطة MOSFET |
|
IRL3502STRRPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | D2-باك | HEXFET السلطة MOSFET |
|
IRL3502STRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | D2-باك | HEXFET السلطة MOSFET |
|
IRL3502SPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | D2-باك | HEXFET السلطة MOSFET |
|
IRL3402SPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | D2-باك | HEXFET السلطة MOSFET |
|
IRL3102STRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | D2-باك | HEXFET السلطة MOSFET |
|
IRL3102SPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | D2-باك | HEXFET السلطة MOSFET |
|
IRL3402STRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | D2-باك | HEXFET السلطة MOSFET |
|
IRL3302STRLPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | D2-باك | HEXFET السلطة MOSFET |
|
IRL3302SPBF
| الاشعه تحت الحمراء | 10+ | D2-باك | HEXFET السلطة MOSFET |