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IRLMS5703TRPBF
| IR | 11+ | SOT23-6 | -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse; Ähnlich wie IRLMS5703TR mit bleifreier Verpackung |
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IRF7704TRPBF
| IR | 10+PB | TSSOP-8 | -40-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSSOP-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7704 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel. |
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IRF7703TRPBF
| IR | 10+PB | TSSOP-8 | -40-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSSOP-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7703 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel. |
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IRF5804TRPBF
| IR | 10+ | TSOP-6 | -40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Paket |
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IRF7240PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7241TRPBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7241PBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF4905-011PBF
| IR | 10+ | TO-220 | Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,06 Ohm, Id = -31 A) |
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IRF7342PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | HEXFETâ Leistungs-MOSFET (VDSS = -55V , RDS(on) = 0,105ã) |
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IRF7343ITRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7343IPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7342QTRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF7342QPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFU5305PBF
| IR | 10+ | TO-251 | LA-MachXO Automotive Nichtflüchtiges PLD für Anwendungen mit geringer Dichte; LUTs: 1200; Versorgungsspannung: 1,2 V; I/Os: 211; Klasse: -3; Gehäuse: Bleifreies ftBGA; |
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IRLU9343PBF
| IR | 10+ | TO-251 | DIGITALER AUDIO-MOSFET |
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IRFU5505PBF
| IR | 10+ | TO-251 | Extrem niedriger Einschaltwiderstand |
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IRFU9024NPBF
| IR | 10+ | TO-251 | HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ã , ID = -11A ) |
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IRLIB9343PBF
| IR | 10+ | TO220 | DIGITALER AUDIO-MOSFET |
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IRFR5305TRRPBF
| IR | 10+ | D-PARK | LA-MachXO Automotive Nichtflüchtiges PLD für Anwendungen mit geringer Dichte; LUTs: 1200; Versorgungsspannung: 1,2 V; I/Os: 113; Klasse: -3; Gehäuse: bleifreies TQFP; P |
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IRFR5305TRLPBF
| IR | 10+ | D-PARK | LA-MachXO Automotive Nichtflüchtiges PLD für Anwendungen mit geringer Dichte; LUTs: 1200; Versorgungsspannung: 1,2 V; I/Os: 113; Klasse: -3; Gehäuse: bleifreies TQFP; P |