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STB55NF06
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STB55NF06

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STB55NF06N-KANAL 60V - 0,015 Ohm - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/Dî PAK STripFETâ© II POWER MOSFET

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UCC28600 TI11+8SOICUCC28600 åè°æ ̄ååæ§å¶å ̈
STB40NS15T4 ST10+TO-263N-Kanal 150V - 0,045& - 40A - D2PAK MESH OVERLAY" Leistungs-MOSFET
STB40NS15 ST10+TO-263N-Kanal 150V - 0,045& - 40A - D2PAK MESH OVERLAY" Leistungs-MOSFET
STB45NF06 ST10+TO-263Næ²é60Vç- 0.022ohm - 38Aæ¡éç ̈D2PAK STripFETâ©åçMOSFET
STB55NF06LT4 ST10+TO-263N-KANAL 60V - 0,015 Ohm - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/Dî PAK STripFETâ© II POWER MOSFET
UCC28250 TI11+20QFN, 20TSSOPå ·æé¢åç1/2®æä1/2çé«çº§ PWM æ§å¶å ̈
UCC28231 TI11+12USON, 14TSSOPéç ̈äºæ»çº¿è1/2¬æ¢å ̈çé«çº§ PWM æ§å¶å ̈ï1/4å ·æ 3.3V ç²3/4å ̄çμååºå
UCC28230 TI11+12USON, 14TSSOPéç ̈äºæ»çº¿è1/2¬æ¢å ̈çé«çº§ PWM æ§å¶å ̈ï1/4å ·æ 5V ç²3/4å ̄çμååºå
STB60NF06LT4 ST10+TO-263Næ²é60Vç- 0.014ohm - 60Aæ¡éç ̈D2PAK STripFETâ©åçMOSFET
STB60NF06 ST10+TO-263Næ²é60Vç- 0.014ohm - 60Aæ¡éç ̈D2PAK STripFETâ©åçMOSFET

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+ç»§çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINK飿å¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æç®¡æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+ç»§çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

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STB60NF06LT4 ST10+TO-263Næ²é60Vç- 0.014ohm - 60Aæ¡éç ̈D2PAK STripFETâ©åçMOSFET
STB60NF06 ST10+TO-263Næ²é60Vç- 0.014ohm - 60Aæ¡éç ̈D2PAK STripFETâ©åçMOSFET
STB70NF03L-1 ST10+TO-263Næ²é30Vç- 0.008ohm - 70Aæ¡TO-220/I2PAKä1/2æ æçμè· STripFETâ©åçMOSFET
STB75NF75LT4 ST10+TO-263N-KANAL 75V - 0,0095 Ohm - 80A TO-220/TO-220FP/Dî PAK STripFETâ© II POWER MOSFET
STB75NF75 ST10+TO-263N-KANAL 75V - 0,0095 Ohm - 80A TO-220/TO-220FP/Dî PAK STripFETâ© II POWER MOSFET
STB80NF03L04T4 ST10+TO-263Rundsteckverbinder; MIL SPEC: MIL-C-26482, Serie I, Löten; Körpermaterial: Metall; Serie: PC C-26482 Serie I; Anzahl der Kontakte:2; Größe des Steckergehäuses: 8
STB80NF03 ST10+TO-263Rundsteckverbinder; MIL SPEC: MIL-C-26482, Serie I, Löten; Körpermaterial: Metall; Serie: PC C-26482 Serie I; Anzahl der Kontakte:2; Größe des Steckergehäuses: 8
STB80NF10T4 ST10+TO-263N-KANAL 100V - 0,012 Ohm - 80 A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFETâ© LEISTUNGS-MOSFET
STB80NF10 ST10+TO-263N-KANAL 100V - 0,012 Ohm - 80 A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFETâ© LEISTUNGS-MOSFET
STB80NF55 ST10+TO-263N - KANAL 55V - 0,005ohm - 80A TO-262/TO-263 STripFET POWER MOSFET
STB80NF5506T4 ST10+TO-263N-KANAL 55V - 0,0065 Ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFETâ© II POWER MOSFET
STB80NF5508T4 ST10+TO-263N-KANAL 55V - 0,0065 Ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFETâ© II POWER MOSFET
STB85N15F4 ST11+TO-263Næ²é30Vç- 0.006ohm - 85Aæ¡éç ̈D2PAKä1/2æ æçμè· STripFETâ©äºåçMOSFET
STB85NF55T4 ST11+TO-263N-KANAL 55V - 0,0060 Ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFETâ© II POWER MOSFET
STB85NF55 ST11+TO-263N-KANAL 55V - 0,0060 Ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFETâ© II POWER MOSFET
STD10NF10T4 ST11+TO-252Næ²é100Vç- 0.115欧å§-第13Aåæ ̄iPak / DPAKå°è£ ä1/2æ æçμè· STripFETâ©äºåçMOSFET
STD10NF10 ST11+TO-252Næ²é100Vç- 0.115欧å§-第13Aåæ ̄iPak / DPAKå°è£ ä1/2æ æçμè· STripFETâ©äºåçMOSFET
STD12NF06LT4 ST11+TO-252Næ²é60Vç- 0.08欧å§-第12Aåæ ̄iPak / DPAKå°è£ STripFETâ©äºåçMOSFET
STD12NF06 ST11+TO-252Næ²é60Vç- 0.08欧å§-第12Aåæ ̄iPak / DPAKå°è£ STripFETâ©äºåçMOSFET
STD15NF10T4 ST11+TO-252N-Kanal 100V - 0,060ohm - 23A - DPAK STripFET II Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung

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