| åå· | åå | æ¹å· | å ° è £ | è ̄'æ |
|
INA129-HT
| تي | 10+ | 0XCEPT ، 8CDIP SB ، 8CFP | 髿 ̧©ç²3/4å ̄ä1/2åèä»ªè¡ ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA129-EP
| تي | 10+ | 8SOIC | å¢å1/4ºå产åç²3/4å ̄ä1/2åè仪å ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA129
| تي | 10+ | 8 بي دي آي بي ، 8 SOIC | ç²3/4å ̄ä1/2åè仪å ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA128-HT
| تي | 10+ | 8SOIC | 髿 ̧©ç²3/4å ̄ä1/2åèä»ªè¡ ̈æ3/4大å ̈ã |
|
INA128
| تي | 10+ | 8 بي دي آي بي ، 8 SOIC | ç²3/4å ̄ä1/2åè仪å ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA126
| تي | 10+ | 8MSOP ، 8PDIP ، 8SOIC | å3/4®åè仪å ̈æ3/4大å ̈åè· ̄ååè· ̄çæ¬ |
|
INA121
| تي | 10+ | 8 بي دي آي بي ، 8 SOIC | FET è3 / 4å ¥ãä1 / 2åèä »ªè¡ ̈æ3 / 4大å ̈ |
|
INA116
| تي | 10+ | 16 د.آي بي إ، 16 مركز التصنيع العسكري | è¶ ä1 / 2è3 / 4å ¥åç1/2®çμæμä»ªè¡ ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA115
| تي | 09+ | 16SOIC | ç²3/4å ̄仪å ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA114
| تي | 10+ | 16SOIC ، 8 بي دي آي بي آي بي | ç²3/4å ̄仪å ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA111
| تي | 08+ | 16SOIC ، 8 بي دي آي بي آي بي | é«é FET è3/4å ¥ä»ªå ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA110
| تي | 09+ | 16 د.آي بي إ، 16 مركز التصنيع العسكري | å¿«éå»ºç« FET è3/4å ¥æé«ç²3/4度çä»ªè¡ ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA101
| تي | 09+ | 14 دب ، 16 دويسيون | æé«ç²3/4åº¦ä»ªè¡ ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA338
| تي | 08+ | 10 مليون دولار | å ·æå ³æç¶æçå®1/2æ ̧©åº¦èå'ç²3/4å ̄ä»ªè¡ ̈æ3/4大å ̈ |
|
عنا337
| تي | 10+ | 8MSOP | å®1/2æ ̧©åº¦èå'ç²3/4å ̄ä»ªè¡ ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA333-HT
| تي | 10+ | 0XCEPT ، 8CDIP SB ، 8CFP | 髿 ̧©ä1/2åèç²3/4å ̄ä»ªè¡ ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA333
| تي | 10+ | 8MSOP ، 8SON | ä1/2åèç²3/4å ̄ä»ªè¡ ̈æ3/4大å ̈ |
|
TPS54291
| تي | 10+ | HTSSOP-16 | 4.5 فولت å ° 18 فولت è3 / 4å ¥ã1.5 / 2.5 أã600 كيلو هرتز åè · ̄è3 / 4åºåæ ¥éåè1 / 2 ¬æ ¢å ̈ |
|
INA332
| تي | 10+ | 8MSOP | ä1/2åèãåçμæºãCMOSãä1/2ææ¬ä»ªè¡ ̈æ3/4大å ̈ |
|
INA331
| تي | 10+ | 8MSOP | ä1 / 2åèåçμæº CMOS ä»ªè¡ ̈æ3/4大å ̈ |