产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ
Nr. W005
- æå±ç±»å«ï1/4ç²æ¡¥æ'æμå ̈
- 产åå称ï1/4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
- ååï1/4SEP
- ç产æ¹å·ï1/410+
- å°è£ ï1/4WOB
- åºåç¶æï1/4æåºå
- åºåéï1/40
- æä1/2袮 è'éï1/41
- è ̄¦ç»èμæï1/4
-
åç ̧1.5å®å¹ãç¡ æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
Einphasig 1,5 AMPERE. Silizium-Brücken-Gleichrichter
ä ̧Nr. W005ç ̧å ³çICè¿æï1/4
| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
BSH108
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT23-3 | 30 V Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 1,9 A; Qgd (typisch): 1,3 nC; RDS(ein): 1 |
|
BSH114
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT23-3 | Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,85 A; Qgd (typisch): 2,1 nC; RDS(ein): 500@10V |
|
W005M
| SEP | 07+ | DIP-4 | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
PMV213SN
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT23-3 | 100 V Næ²éå¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-Kanal ID |
|
W005G
| PANJIT | 09+ | PANJIT | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
PMV45EN
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT23-3 | å¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-channel IDåºå¡:ä ̧ç§;; Qgd(æå5.4):1.9æ°æ§; å ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈); VDSmax mOhm:42 @[email protected]:30ä1/4; å è£ :SOT23(TO-236ABç£å ̧¦å·); éè£ ç®±:smd |
|
TS8P10G
| LTSEP | 09+ | DIP-4 | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
TS8P08G
| LTSEP | 09+ | DIP-4 | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
TS8P07G
| LTSEP | 09+ | DIP-4 | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
TS8P06G
| SEP | 10+ | DIP-4 | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
çé ̈æç'¢
SEPåç产åæ ̈è