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IRF5210STRRPBF
| IR | 09+ | TO-263 | Nééåºæåºç®¡HEXFET Power MOSFET |
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IRF9530NSTRLPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 100V Nééåºæåºç®¡-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9530NSTRL mit bleifreier Verpackung |
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IRF9530NSPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | Nééåºæåºç®¡ Advanced Process Technology Surface Mount |
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IRF9520NSTRRPBF
| IR | 2010+ | D2 PAK | 100V Nééåºæåºç®¡ -100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9520NSTRR mit bleifreier Verpackung |
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IRF9520NSTRLPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | Nééåºæåºç®¡ HEXFET㢠Power MOSFET |
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IRF9520NSPBF
| IR | 2010+ | D2-pak | Nééåºæåºç®¡ HEXFET㢠Power MOSFET |
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IRF6218PBF
| IR | 2010+ | TO-220 | Nééåºæåºç®¡ HEXFET㢠Power MOSFET |
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IRF6216PBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF6216 mit Standardverpackung |
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IR1150IPBF
| IR | 10+ | DIP-8 | IR1150IPBF,åºæåºç®¡ |
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8ETH06PBF
| IR | 07+ | TO-220 | 8ETH06PBF,æ'æμå ̈ ,Hyperschneller Gleichrichter |
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IRFP260NPBF
| IR | 11+ | TO-247 | åçåºæåºç®¡ |
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IRF7469TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 40-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7469TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF8721PBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF8721PBF mit Standardverpackung |
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IRLR7821TRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR7821TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF7309TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 30V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7309TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF7220TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | -12-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7220TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRFR9024NPBF
| IR | 10+ | TO-252 | HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ã , ID = -11A ) |
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IRF8910TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8910TR mit bleifreier Verpackung |
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IRF7478TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | MOSFETçå1/4å ³çμæº |
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IRFS17N20DTRLP
| IR | 10+ | TO-263 | 200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFS17N20DTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |