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FDMS8460
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FDMS8460

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  • 产ååç§°ï1/440V N-Kanal-Stromgraben-MOSFET; Gehäuse: Power 56 (PQFN); Keine Pins: 8; Behälter: Tape & Reel
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FDMS846040V N-Kanal-Stromgraben-MOSFET; Gehäuse: Power 56 (PQFN); Keine Pins: 8; Behälter: Tape & Reel

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FDMS8460 FAIRCHILD2010+QFN840V N-Kanal-Stromgraben-MOSFET; Gehäuse: Power 56 (PQFN); Keine Pins: 8; Behälter: Tape & Reel

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SSDN-10 T&M25+DIPT&Måè1/2'åæμå ̈
ABCIRH03T2214PCWF80M32V0 AB-Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈Onnektor-Umkehr-Bajonett-Kupplung Kreisförmige RCP 14S-5 ST Kastenhalterung – Bulk-Montage
GTC6L-20-M1SC-74B1-ï1/420ï1/4-L-G-PMA JAE Electronics24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
483KGCAE2A æ°å¡25+QFP128RISC-Mikrocontroller, 32-Bit, FLASH, CORTEX-M4F CPU, 192 MHz, CMOS, PQFP128
FRCIR06R36-5P-F80T39-78-M40F ITT-Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈Kreisförmiger MIL-Spezifikationsstecker
FRCIR02R36-6S-F80T39-78-G1 ITT-Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈Kreisförmiger MIL-Spezifikationsstecker
B80K460 Epcos25+ä1/4 æå ̈SIOV-Metalloxid-Varistoren
ABMP17T28M13PV0N TT Electronics plc24+è¿æ¥å ̈ABMP17T28M13PVON /EISENBAHN- UND MILITÄRISCHE LANDSYSTEME
HC-SN100V4B15 KOHSHIN25+DIPçμæμä1/4 æå ̈
ABCIRP03T1819SV0N AB-Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSG FMALE 10POS PNL MT
SHKE470-110 n. Chr. AUSLAUGEN25+ç»§çμå ̈ç»§çμå ̈座
SHKED470-110 n. Chr. AUSLAUGEN25+ç»§çμå ̈ç»§çμå ̈座
ADIS16575-2BMLZ INSERAT25+Modul6 DOF Prec IMU, 8g (450 DPS D
N/MS3108B20-4P JAE Electronics2025+è¿æ¥å ̈Rundstecker, 4 Kontakte, synthetisches Harz, männlich, Lötanschluss, Stecker
62IN-18F-10-6S Amphenol Corporation2025+è¿æ¥å ̈Kreisförmiger Stecker Stecker Größe 10
NLS-N-BK-C70-M40BEPN250 ITT24+è¿æ¥å ̈NLS-N-BK-C70-M40B EPN250
V93BR Mors Smitt24+è¿æ¥å ̈V93BRæåº§-èºéç« ̄åï1/4è1/2 ̈éå®è£ 8æ
V17-D MORSSMITT24+ç»§çμå ̈ç»§çμå ̈æåº§æå1/4¹ç°§ç« ̄å
VGE1TS181900L SOURIAU-SUNBANK24+è¿æ¥å ̈Kreisförmige MIL-Spec-Rückwärtsschalen SZ18
KEYSTONE26 Keystone Electronics24+è¿æ¥å ̈ÖSE 0,187" MESSING-BLECH BESCHICHTET

FAIRCHILDåçäº§åæ ̈è


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NDS7002A FAIRCHILD2010+SOT23-3N-Kanal-Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor (Næ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡)
MMBF170 FAIRCHILD2010+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4åºæåºç®¡ï1/4ä ̧éç ̈鬩 éå±±æ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4
FDMS3672 FAIRCHILD2010+QFN-56Næ²éUltraFETæ²éMOSFET 100Vçï1/422Aæ¡ï1/423mohm
FDN360P FAIRCHILD2010+SOT-23Einzel-P-Kanal PowerTrench MOSFET; Paket: SuperSOT; Keine Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
FDN361BN FAIRCHILD2010+SOT23-330V N-Kanal, Logikpegel, PowerTrench MOSFET
FDMS7692 FAIRCHILD2010+PQFN830V P-Kanal PowerTrench MOSFET; Paket: SOIC; Keine Pins: 8; Behälter: Tape & Reel
FDS6681Z FAIRCHILD2010+SOP-830V P-Kanal PowerTrench MOSFET; Paket: SOIC; Keine Pins: 8; Behälter: Tape & Reel
NDS9957 FAIRCHILD2010+SOP-8Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/42.6Aï1/460Vï1/40.16Ωï1/4(åNæ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ2.6A, æ1/4æºçμå60Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.16Ωï1/4)
HUFA76413DK8T FAIRCHILD2010+SOP-8Næ²éé»è3/4çμå¹³UltraFETåçMOSFET 60Vç4.8Aï1/456mз
FDS9945 FAIRCHILD2010+SOP-860V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Paket: SO-8; Keine Pins: 8; Behälter: Tape & Reel
FDMS2572 FAIRCHILD2010+QFN-56N-Kanal UltraFET Trenché MOSFET 150V, 27A, 47mз
SFP9540 FAIRCHILD2010+TO-220P-Channel Power MOSFET(æ1/4æºçμåä ̧º-100VçPæ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFP70N06 FAIRCHILD2010+TO-22070A, 60V, 0,014 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs; Paket: TO-220; Keine Pins: 3; Container: Rail
RFD16N05LSM FAIRCHILD2010+TO-25216A, 50V, 0,047 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-MOSFETs (16A, 50V, 0,047 î© N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05LSM9A FAIRCHILD2010+TO-25214A, 50V, 0,100 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs (14A, 50V, 0,100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05LSM FAIRCHILD2010+TO-25214A, 50V, 0,100 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs (14A, 50V, 0,100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05L FAIRCHILD2010+TO-25114A, 50V, 0,100 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs (14A, 50V, 0,100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
NDT451AN FAIRCHILD2010+SOT-223N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/47.2Aï1/430Vï1/40.035Ωï1/4(Næ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ7.2A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.035Ωï1/4)
NDS356AP FAIRCHILD2010+SOT-23-3P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-1.1Aï1/4-30Vï1/40.3Ωï1/4(Pæ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-1.1A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé »0,3Ωï1/4)
NDS355AN FAIRCHILD2010+SOT-23-3N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/41.7Aï1/430Vï1/40.125Ωï1/4(Næ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ1.7A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé» 0,125Ωï1/4)

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