| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IRF7456TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7456TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
|
IRF7425TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | -20-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7425 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
|
IRF8010STRLPBF-SPBF
| IR | 10+ | TO-263 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8010STRL mit bleifreier Verpackung. |
|
IRF3415STRLPBF-SPBF
| IR | 10+ | TO-263 | 150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3415STRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
|
IRG4BC20KD-SPBF
| IR | 10+ | TO-220 | ® BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE UND ULRTAFAST SOFR-WIEDERHERSTELLUNGSDIODE |
|
IRF9540NSTRRPBF
| IR | 10+ | TO-220 | MOSFET FÜR DIE AUTOMOBILINDUSTRIE |
|
IRF1607PBF
| IR | 10+ | TO-220 | MOSFET FÜR DIE AUTOMOBILINDUSTRIE |
|
SI4435DYTRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | -30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie SI4435DYTR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle |
|
IRLMS1503TRPBF
| IR | 2010+ | SOT23-6 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ähnlich wie IRLMS1503TR mit bleifreier Verpackung |
|
IRF7821PBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
|
IR1168STRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 200-V-Dual-Smart-High-Speed-SR-Controller auf der Sekundärseite in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse. Wird zur Ansteuerung von zwei N-Kanal-Leistungs-MOSFETs verwendet, die als synchroner Gleichrichter verwendet werden |
|
IPS521
| IR | 2010+ | SOP-8 | å åä¿æ¤é«åä3/4§åçMOSFETå1/4å ³VOLLSTÄNDIG GESCHÜTZTER HIGH-SIDE-POWER-MOSFET-SCHALTER |
|
IR2117STRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | Einzelner High-Side-Treiber, nicht invertierender Eingang in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2117 in einem 8-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird |
|
IRF7342TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | -55 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7342TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
|
IR2184PBF
| IR | 2010+ | DIP-8 | Halbbrückentreiber, SoftTurn-On, Einzeleingang plus invertierende Abschaltung, 500 ns Totzeit in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2184 in einem bleifreien 8-poligen |
|
IRF7606TRPBF
| IR | 2010+ | MSOP-8. | -30 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7606 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
|
IRG4BC40SPBF
| IR | 2010+ | TO-220AB | ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçæ åé度 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Standard-Speed-IGBT |
|
IRF7809AVTRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7809AVTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle |
|
IRLR3410TRLPBF
| IR | 2010+ | D-pak | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR3410TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
|
IRF7507TRPBF
| IR | 2010+ | MSOP-8 | 20V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem Micro 8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7507 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |