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SI4435DYTRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | -30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie SI4435DYTR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle |
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IRLMS1503TRPBF
| IR | 2010+ | SOT23-6 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ähnlich wie IRLMS1503TR mit bleifreier Verpackung |
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IRF7821PBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IR1168STRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 200-V-Dual-Smart-High-Speed-SR-Controller auf der Sekundärseite in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse. Wird zur Ansteuerung von zwei N-Kanal-Leistungs-MOSFETs verwendet, die als synchroner Gleichrichter verwendet werden |
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IPS521
| IR | 2010+ | SOP-8 | å åä¿æ¤é«åä3/4§åçMOSFETå1/4å ³VOLLSTÄNDIG GESCHÜTZTER HIGH-SIDE-POWER-MOSFET-SCHALTER |
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IR2117STRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | Einzelner High-Side-Treiber, nicht invertierender Eingang in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2117 in einem 8-poligen SOIC, der auf Tape and Reel geliefert wird |
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IRF7342TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | -55 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7342TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IR2184PBF
| IR | 2010+ | DIP-8 | Halbbrückentreiber, SoftTurn-On, Einzeleingang plus invertierende Abschaltung, 500 ns Totzeit in einem 8-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2184 in einem bleifreien 8-poligen |
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IRF7606TRPBF
| IR | 2010+ | MSOP-8. | -30 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7606 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRG4BC40SPBF
| IR | 2010+ | TO-220AB | ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçæ åé度 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Standard-Speed-IGBT |
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IRF7809AVTRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7809AVTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle |
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IRLR3410TRLPBF
| IR | 2010+ | D-pak | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR3410TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF7507TRPBF
| IR | 2010+ | MSOP-8 | 20V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem Micro 8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7507 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IR2175SPBF
| IR | 2010+ | SOIC-8 | 线æ§çμæμæåºéæçμè· ̄LINEARER STROMMESS-IC |
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IRF1404STRRPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 40-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF1404STRR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel rechts |
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IRFZ44NSTRLPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFZ44NSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF6617TR1PBF
| IR | 2010+ | LCC | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-Gehäuse mit einer Nennleistung von 52 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktive |
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IRF7316TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8. | -30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7316TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF9530NPBF
| IR | 2010+ | TO-220 | -100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF9530N mit bleifreier Verpackung. |
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IRF8721TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8721PBF auf Tape and Ree ausgeliefert |