产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ
Nr. 2SD613
- æå±ç±»å«ï1/4ä ̧æ管
- 产åå称ï1/4NPN Epitaktischer planarer Siliziumtransistor für 85V/6A, AF 25 bis 35W Ausgangsanwendungen (ç ̈äº85V/6Aï1/4AF 25å°35Wè3/4åºåºç ̈çNPNç¡ å¤å»¶å¹³é¢åæ¶ä1/2管)
- ååï1/4SANYO
- ç产æ¹å·ï1/42010+
- å°è£ ï1/4TO-220
- åºåç¶æï1/4æåºå
- åºåéï1/478000
- æä1/2袮 è'éï1/41
- è ̄¦ç»èμæï1/4
-
Nr. 2SD613
NPN Epitaktischer planarer Siliziumtransistor für 85V/6A, AF 25 bis 35W Ausgangsanwendungen (ç ̈äº85V/6Aï1/4AF 25å°35Wè3/4åºåºç ̈çNPNç¡ å¤å»¶å¹³é¢åæ¶ä1/2管)
ä ̧Nr. 2SD613ç ̧å ³çICè¿æï1/4
| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
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2sC2078
| SANYO | 2010+ | TO-220 | NPN Epitaxial Planar Siliziumtransistor für 27MHz HF-Leistungsverstärkeranwendungen (ç ̈äº 27MHz RFåçæ3/4大å ̈åºç ̈çNPNç¡ å¤å»¶å¹³é¢åæ¶ä1/2管) |
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Artikel-Nr.: 2SD1351
| FAIRCHILD | 2010+ | TO-220 | å¤å»¶å¹³é¢NPNæ¶ä1/2管ï1/4éç ̈ï1/4 |
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BD243C
| FAIRCHILD | 2010+ | TO-220 | Komplementärer Silizium-Kunststoff-Leistungstransistor (3,0 A, 40 W, 100 V, å¡æï1/4è¡¥å¿åï1/4ç¡ NPNåçæ¶ä1/2管) |
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BD241C
| FSC (englisch) | 2010+ | TO-220 | Komplementärer Silizium-Kunststoff-Leistungstransistor (3,0 A, 40 W, 100 V, å¡æï1/4è¡¥å¿åï1/4ç¡ NPNåçæ¶ä1/2管) |
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Nr. BD613
| æ¥ç« | 2010+ | TO-220 | NPN Epitaktischer planarer Siliziumtransistor für 85V/6A, AF 25 bis 35W Ausgangsanwendungen (ç ̈äº85V/6Aï1/4AF 25å°35Wè3/4åºåºç ̈çNPNç¡ å¤å»¶å¹³é¢åæ¶ä1/2管) |
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Nr. H1061
| HITACHI | 2010+ | TO-220 | ä ̧éæ©æ£ç¡ NPNæ¶ä1/2管 |
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TIP125
| ST | 2010+ | TO-220 | Complemetaryç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管ï1/4äºè¡¥ç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管ï1/4 |
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TIP117
| ST | 2010+ | TO-220 | PNP Epitaktischer Silizium-Darlington-Transistor 1/4Monolithischer Aufbau mit eingebautem Base-Emitter-Shunt-Widerstand 1/4 (PNPç¡ å¤å»¶è3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管ï1/4å ç1/2®åºæ-å°æåæμçμé »åçç»æï1/4) |
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TIP107 (Englisch)
| ST | 2010+ | TO-220 | Komplementäre Silizium-Stromversorgung Darlington-Transistoren(äºè¡¥ç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管) |
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BDW94C
| ST | 2010+ | TO-220 | SILICON DARLINGTON LEISTUNGSTRANSISTOREN |
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SANYOåç产åæ ̈è