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|
IPD50N06S2-14
| INFINEON | 09+ | PG-TO252-3- | N-Kanal-MOSFETs |
|
IPD50N04S4-10
| INFINEON | 09+ | PG-TO252-3- | N-Kanal-MOSFETs |
|
IPD50N04S3-09
| INFINEON | 09+ | TO-252 | N-Kanal-MOSFETs |
|
D1SB80
| SHINDEN | 09+ | DIP | å3/4®åçμè· ̄æ¿/è' ̈éæ§å¶åç继çμå ̈ |
|
D1SB60
| SHINDEN | 09+ | DIP | å3/4®åçμè· ̄æ¿/è' ̈éæ§å¶åç继çμå ̈ |
|
D1SB20
| SHINDEN | 09+ | DIP-4 | å3/4®åçμè· ̄æ¿/è' ̈éæ§å¶åç继çμå ̈ |
|
D1SB10
| D1SB10 | 09+ | DIP-4 | å3/4®åçμè· ̄æ¿/è' ̈éæ§å¶åç继çμå ̈ |
|
D15XB80
| SHINDEN | 10+ | PLZ-4 | éç ̈æ'æμå ̈ï1/4800Vç第15Aæ¡ï1/4 |
|
D15XB60
| SHINDINGE | 09+ | GBJ-4 | éç ̈æ'æμå ̈ï1/4600Vç第15Aæ¡ï1/4 |
|
IPD50N04S3-08
| INFINEON | 11+ | TO252-3 | OptiMOSâ2 Leistungstransistor |
çé ̈æç'¢
SHINDENåç产åæ ̈è
| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
D1SB20
| SHINDEN | 09+ | DIP-4 | å3/4®åçμè· ̄æ¿/è' ̈éæ§å¶åç继çμå ̈ |
|
D15XB80
| SHINDEN | 10+ | PLZ-4 | éç ̈æ'æμå ̈ï1/4800Vç第15Aæ¡ï1/4 |
|
D15SB40
| SHINDEN | 09+PB | DIP-10 | 第15Aæ¡ï1/4ååºï1/4çæ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
|
D15SB20
| SHINDEN | 09+ | PB | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
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D15SB100
| SHINDEN | 09+PB | DIP-4 | åç ̧ç»çéåæ'æμæ¡¥ååº |
|
D10XB40
| SHINDEN | SHINDEN | DIP-4 | éç ̈æ'æμå ̈ï1/4800Vç10Aæ¡ï1/4 |