æçè ̄¢ä»·å - è¿å£å å ̈ä»¶ä3/4åºåå ̈çç°è'§åæè'§ä1/4å¿æ ̧ é

äº§ååå·	äº§ååç§°	æ¹å·	åå	å°è£	æ°é
PMV65XP	Pæ²éTrenchMOSåºæåºç®¡ P-Kanal TrenchMOS(tm) extrem niedriger Pegel FET - Konfiguration: Einzelner P-Kanal ; Innendurchmesser: 3,9 A; Qgd (typisch): 0,65 nC; RDS(ein):[email protected]	11+	NXP (Englisch)	SOT-23-3		å é¤
NCV4275	å ̈æ°åè£	05+	AUF	SOT-263		å é¤