XC6601B121MR-G 对应低输入电压动作LDO电压调整器
XC6601系列是内置N沟道FET, 可输出400mA的高速LDO电压调整器。即使是低输出电压也可通过超低导通阻抗高效地输出电流。该系列适用于低输入电压以及要求低输入输出电压差的应用。
XC6601系列内部由基准电压源, 误差放大器, 驱动三级管, 定电流限制电路, FOLD-BACK电路, 过热保护电路(TSD), 欠压锁闭电路(UVLO)和相位补偿电路组成。
通过激光微调技术,输出电压范围是0.7V～1.8V,0.05V间隔设定。输出电容(CL)可使用低ESR类型的电容。
当输出电流达到限制电流或者结温度达到限制温度的时候,过流保护电路(定电流限制电路, FOLD-BACK电路)和过热保护电路(TSD)就会工作,起到保护IC的作用。
当VBIAS和VIN端子之间的电压比UVLO电压低的时候,电压调整器的输出就会被关断。
在CE端子输入低电平的时候,IC进入待机模式,消耗电流会大幅减小。同时,进入待机模式的时候,输出电容(CL)上的电荷可通过VOUT端子和VSS端子之间的内部开关释放,使电压快速返回到VSS电平。
特点
| 最大输出电流 |
400mA以上 (550mA limit, TYP.) |
| 输入输出电压差 |
38mV @ IOUT=100mA, at VBIAS - VOUT(E)=2.4V |
| 偏置电压范围 |
2.5V ~ 6.0V (VBIAS - VOUT(E)≧1.2V) |
| 输入电压范围 |
1.0V ~ 3.0V (VIN≦VBIAS) |
| 输出电压范围 |
0.7V ~ 1.8V (0.05V increments) |
| 高精度 |
±20mV |
| 待机电流 |
IBIAS=25μA , IIN=1.0μA (TYP.), IBIAS=0.01μA , IIN=0.01μA (TYP.) |
| UVLO |
VBIAS=2.0V, VIN=0.4V (TYP.) |
| TSD (Detect/Release) |
150℃/125℃ (TYP.) |
| 工作温度范围 |
-40℃〜85℃ |
| 功能 |
CL高速自放电功能 |
| 对应低ESR电容 |
可使用陶瓷电容 |
| 封装 |
USP-6C, SOT-25, SOT-89-5 |
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