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1,5 AMPERE EINPHASIGE MINIATURBRÜCKEN AUS SILIZIUM (SPANNUNG - 50 bis 1000 Volt STROM - 1,5 Ampere)

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W08M COMON09+10+WOBæ¡¥å1/4æ'æμå ̈
W08G PANJIT10+AM RB-10æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
W06M SEMITEL10+/11+EINTUNKENæ¡¥å1/4æ'æμå ̈
SI2304DS NXP (Englisch)11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 1,7 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(ein): 117@10V1
W02M SEP10+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
PMV117EN NXP (Englisch)11+SOT23-330 V uTrenchMOSå¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³ micro TrenchMOS(tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 2,5 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(
W01M PANJIT10+AM RB-10æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
W01G PANJIT09+AM RB-10æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
BSH108 NXP (Englisch)11+SOT23-330 V Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 1,9 A; Qgd (typisch): 1,3 nC; RDS(ein): 1

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JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
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Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
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ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
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ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
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Nr. W005 SEP10+WOBæ¡¥å1/4æ'æμå ̈
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