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TPC8112
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TPC8112

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TPC8112 ä ̧èåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ç¡ Pééé马éå±±å TOSHIBA Feldeffekttransistor Silizium P-Kanal MOS-Typ (U-MOS IV)

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B81123C1222M189 TDK Epcos16+DIPKAPPE FOLIE 2200PF 20% 500VAC RAD
B81123C1472M189 TDK Epcos16+DIPKAPPENFOLIE 4700PF 20% 500VAC RAD
B81123C1102M189 TDK Epcos16+DIPKAPPE FOLIE 1000PF 20% 500VAC RAD
B81123C1103M189 TDK Epcos16+DIPKAPPE FOLIE 10000PF 20% 500VAC RAD
B81123C1152M189 TDK Epcos16+DIPKAPPE FOLIE 1500PF 20% 500VAC RAD
B81123C1472M289 TDK Epcos16+DIPKAPPENFOLIE 4700PF 20% 500VAC RAD
B81123C1332M189 TDK Epcos16+DIPKAPPE FOLIE 2200PF 20% 500VAC RAD
B81123C1152M289 TDK Epcos16+DIPFOLIENKAPPE MKP Y1 1.5NF 20% 500VAC
B81123C1682M TDK Epcos16+DIPKAPPE FOLIE 6800PF 20% 500VAC RAD
B81123C1152M TDK Epcos16+DIPKAPPE FOLIE 1500PF 20% 500VAC RAD
B81123C1222M TDK Epcos16+DIPKAPPE FOLIE 2200PF 20% 500VAC RAD
B81123C1103M TDK Epcos16+DIPKAPPE FOLIE 10000PF 20% 500VAC RAD
B81123C1472M TDK Epcos16+DIPKAPPENFOLIE 4700PF 20% 500VAC RAD
B81123C1102M TDK Epcos16+DIPKAPPE FOLIE 1000PF 20% 500VAC RAD
B81123C1332M TDK Epcos16+DIPKAPPE FOLIE 3300PF 20% 500VAC RAD
B81123C1102M289 TDK Epcos16+DIPKappenfolie 0,001uF 250VAC PP 20% (18 x 5 x 10,5mm) Radial 15mm 100°C Munitionspaket - Band und Rolle (Alt: B81123C1222M189)
AD8112JSTZ ADI15+100 ld LQFP60 MHzã16 × 8é³é¢/è§é¢äº¤åç¹å1/4å ³ï1/4G = +2ï1/4
TZ-8112 å°æ¹3/4天å3/411+NA 
62674-081121ALF FCI (FCI)10+N/Aå ̈æ°åè£ è¿å£ï1/4é¦æ ̧ ̄ç°è'§
2743008112 Fair-Rite10+N/Aå ̈æ°åè£ è¿å£ï1/4é¦æ ̧ ̄ç°è'§

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KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 Elma Elektronik24+è¿æ¥å ̈Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.
EMP-SM-3C-R10-D35 Amphenol24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
Artikel-Nr.: 51513-12-12T12 ITT Interconnect-Lösungen23+è¿æ¥å ̈VB CON 12-POLIGER CRIMP 20-22

TOSHIBAåç产åæ ̈è


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TPC8107 TOSHIBA10+SOP-8ä ̧èåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ç¡ Pééé马éå±±å TOSHIBA Field Effect Transistor Silizium P-Kanal MOS-Typ (U-MOS IV)
TPC8118 TOSHIBA10+SOP-8ä ̧èåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ç¡ Pééé马éå±±å TOSHIBA Field Effect Transistor Silizium P-Kanal MOS-Typ (U-MOS IV)
TPC8122 TOSHIBA10+SOP-8ä ̧èåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ç¡ Pééé马éå±±å TOSHIBA Field Effect Transistor Silizium P-Kanal MOS-Typ (U-MOS IV)
TPCA8016-H TOSHIBA10+QFN-8é«éåé«æçDC - DCè1/2¬æ¢å ̈ç¬è°® æ¬çμèåºç ̈ä3/4¿æºå1/4è®3/4å¤åº High-Speed und High-Efficiency DC/DC Wandler Notebook-PC-Anwendungen Tragbare Geräte Anwendungen
TPCA8016 TOSHIBA10+QFN-8é«éåé«æçDC - DCè1/2¬æ¢å ̈ç¬è°® æ¬çμèåºç ̈ä3/4¿æºå1/4è®3/4å¤åº High-Speed und High-Efficiency DC/DC Wandler Notebook-PC-Anwendungen Tragbare Geräte Anwendungen
TPC8113 TOSHIBA10+SOP8æ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马éå±±å TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE
TPC8121 TOSHIBA10+SOP8æ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马éå±±å TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE
TPC8111 TOSHIBA10+SOP8æ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马éå±±å TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE
TPC8103 TOSHIBA10+SOP8æ¶ä1/2ç®¡ç¡ Péé马éå±±å TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE
TPC8119 TOSHIBA10+SOP8TOSHIBA Feldeffekttransistor Silizium P-Kanal MOS-Typ (U-MOS IV) ä ̧èåºæåºæ¶ä1/2ç®¡ç¡ Pééé马éå±±åï1/4Uå马éå±±åï1/4
TPC8109 TOSHIBA10+SOP8FELDEFFEKTTRANSISTOR SILIZIUM P-KANAL MOS-TYP
TPC8106-H TOSHIBA10+SOP8SILIZIUM P-KANAL MOS-TYP
HN4D02JU TOSHIBA2010+SOT23-5è¶ é«éå1/4å ³åºç ̈ Ultra High Speed Switching Anwendungen
DB105S TOSHIBA11+SMAåç ̧ç»çéåç¡ æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
DB105 TOSHIBA10+SMAæ¡¥å1/4æ'æμå ̈
Nr. 2SA1012 TOSHIBA14+TO-220åçæ¶ä1/2管ï1/45Aæ¡ç50Vï1/425ç¦ï1/4
Nr. 2SC3150 TOSHIBA10+TO-220npnåä ̧éæ©æ£ï1/4ç ̈äºå1/4å ³ç ̈³åå ̈åé«åï1/4 npn triple diffused (zum Schalten von Regler und Hochspannung)
Artikel-Nr.: 2SC3148 TOSHIBA10+TO-220npnåä ̧éæ©æ£ï1/4ç ̈äºå1/4å ³ç ̈³åå ̈åé«åï1/4 npn triple diffused (zum Schalten von Regler und Hochspannung)
TIP112 (Englisch) TOSHIBA2010+TO-220Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(äºè¡¥ç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)
TIP120 (Englisch) TOSHIBA2010+TO-220Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(äºè¡¥ç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)

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