用于IGBT的驱动变压器 - 绝缘电压高达500 Vrms
近年来，电力电子技术对电能的产生，分配和转换技术产生了决定性的影响。现代半导体能够以低损耗快速安全地控制和转换电能。这一领域取得进展的关键因素是IGBT（绝缘栅双极晶体管），MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和GTO（栅极关断晶闸管）等关断功率半导体。VAC产品是维持半导体开关和低损耗电力传输效率和安全性的重要因素。
更高的开关频率，更高的阻断电压和开关功率会影响半导体的激活和控制方式，从而实现安全和简单的开关。驱动变压器确保电流分离，同时还为半导体驱动电路提供开关信号和/或能量。
必须满足一些要求：
•绝缘强度高
•低耦合电容，具有高抗干扰性
•紧凑的设计
•低漏电感，可实现高脉冲精度
•开关电源的传输
•工作温度范围广（例如-40°C至+ 105°C）
•国家和国际标准，例如EN 50178，IEC 61800，UL508，IEC 62109，UL1741
变压器属性：
•SMD高达1200 V DC; PTH 高达8.5 kV rms
•转数低
•可提供SMD解决方案
•转数较低; 高渗透率
•通常为2至20瓦
•渗透率随温度的低和线性变化
•根据相关标准设计，通过检查和型式试验验证的性能
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