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RSR030N06
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RSR030N06

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  • 产åå称ï1/44V Antrieb Nch MOSFET; Gehäuse: TSMT3; Liste der Konstitutionsmaterialien: Verpackungsart: Klebeband; Packungsinhalt: 3000;
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RSR030N064V Antrieb Nch MOSFET; Gehäuse: TSMT3; Liste der Konstitutionsmaterialien: Verpackungsart: Klebeband; Packungsinhalt: 3000;

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RK7002AT116 Rohm Halbleiter10+SOT-23MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
RK7002T116 Rohm Halbleiter10+SOT-23MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
UCC28C44 TI09+8MSOP, 8PDIP, 8SOICBiCMOS ä1/2åèçμæμæ ̈¡å1/4 PWM æ§å¶å ̈
RSR020N06 ST10+SOT-234V Antrieb Nch MOSFET; Gehäuse: TSMT3; Liste der Konstitutionsmaterialien: Verpackungsart: Klebeband; Packungsinhalt: 3000
UCC28C43 TI07+8MSOP, 8PDIP, 8SOICBiCMOS ä1/2åççμæμæ ̈¡å1/4 PWM æ§å¶å ̈
UCC28C42 TI09+8MSOP, 8PDIP, 8SOICBiCMOS ä1/2çμæμ 8 å1/4è PWM çμæμæ ̈¡å1/4æ§å¶å ̈
STB120NF10T4 ST10+TO-263N-KANAL 100V - 0,009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB120NF10 ST10+TO-263N-KANAL 100V - 0,009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB140NF75T4 ST10+TO-263N-KANAL 75V - 0,0065 Ohm -120A Dî PAK/Iî PAK/TO-220 STripFETâ© II POWER MOSFET
UCC28C41-Q1 TI10+8SOICæ±1/2è1/2¦ç±» BiCMOS ä1/2åèçμæμæ ̈¡å1/4 PWM æ§å¶å ̈

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CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais

STåç产åæ ̈è


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STB120NF10T4 ST10+TO-263N-KANAL 100V - 0,009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB120NF10 ST10+TO-263N-KANAL 100V - 0,009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB140NF75T4 ST10+TO-263N-KANAL 75V - 0,0065 Ohm -120A Dî PAK/Iî PAK/TO-220 STripFETâ© II POWER MOSFET
STB140NF75 ST10+TO-263N-KANAL 75V - 0,0065 Ohm -120A Dî PAK/Iî PAK/TO-220 STripFETâ© II POWER MOSFET
STB141NF55 ST10+TO-263N-Kanal 55V - 0,0065& - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET⢠II Leistungs-MOSFET
STB160N75F3 ST10+TO-263Næ²é75Vç- 350欧å§- 120Aæ¡-å°220 -å°247 - D2PAKå°è£ çMDmeshåæ ä1/2çμååçMOSFET
STB19NF20 ST10+TO-263N-Kanal 200V - 0,15ã - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAYâ© Leistungs-MOSFET
STB30NF10T4 ST10+TO-263Næ²é100Vç- 0.038欧å§- 35Aæ¡TO-220/TO-220FP/D2PAKä1/2æ æçμè· STripFETâ©äºåçMOSFET
STB30NF10 ST10+TO-263Næ²é100Vç- 0.038欧å§- 35Aæ¡TO-220/TO-220FP/D2PAKä1/2æ æçμè· STripFETâ©äºåçMOSFET
STB35NF10T4 ST10+TO-263Næ²é100Vç- 0.030ohm - 40Aè³- 220 / D2PAKå°è£ ï1/4ä1/2æ æçμè· STripFETâ©åçMOSFET
STB35NF10 ST10+TO-263Næ²é100Vç- 0.030ohm - 40Aè³- 220 / D2PAKå°è£ ï1/4ä1/2æ æçμè· STripFETâ©åçMOSFET
STB40N20 ST10+TO-263N-Kanal 200V - 0,038 Ohm -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 - STripFET Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung
STB40NF10T4 ST10+TO-263Næ²é100Vç- 0.024ohm - 50Aæ¡TO-220/D2PAK/I2PAKä1/2æ æçμè· STripFETâ©äºåçMOSFET
STB40NF10LT4 ST10+TO-263Næ²é100Vç- 0.024ohm - 50Aæ¡TO-220/D2PAK/I2PAKä1/2æ æçμè· STripFETâ©äºåçMOSFET
STB40NF10 ST10+TO-263Næ²é100Vç- 0.024ohm - 50Aæ¡TO-220/D2PAK/I2PAKä1/2æ æçμè· STripFETâ©äºåçMOSFET
STB40NF20 ST10+TO-263N-Kanal 200V - 0,038 Ohm -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 - STripFET Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung
STB40NS15T4 ST10+TO-263N-Kanal 150V - 0,045& - 40A - D2PAK MESH OVERLAY" Leistungs-MOSFET
STB40NS15 ST10+TO-263N-Kanal 150V - 0,045& - 40A - D2PAK MESH OVERLAY" Leistungs-MOSFET
STB45NF06 ST10+TO-263Næ²é60Vç- 0.022ohm - 38Aæ¡éç ̈D2PAK STripFETâ©åçMOSFET
STB55NF06LT4 ST10+TO-263N-KANAL 60V - 0,015 Ohm - 50A TO-220/TO-220FP/I PAK/Dî PAK STripFETâ© II POWER MOSFET

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