ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
MGSF2N02ELT1
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

MGSF2N02ELT1

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/42,8 Ampere, 20 Volt, NâChannel SOTâ23
  • ååï1/4AUF
  • ç产æ¹å·ï1/42010+
  • å°è£ ï1/4SOT-23
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/48000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找MGSF2N02ELT1çš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

MGSF2N02ELT12,8 Ampere, 20 Volt, N-Kanal SOT-23

ä ̧MGSF2N02ELT1ç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
NTR4503N AUF2010+SOT23-3Leistungs-MOSFET 30 V, 2,5 A, einzelner N-Kanal, SOT23 (30 Vï1/42,5 AååçMOSFET)
MMBF0201NLT1G AUF2010+SOT-23Leistung MOSFET 300 mAmpere, 20 Volt NâChannel SOTâ23
MGSF2N02ELT3G AUF2010+SOT-232,8 Ampere, 20 Volt, NâChannel SOTâ23
MGSF2N02ELT3 AUF2010+SOT-232,8 Ampere, 20 Volt, NâChannel SOTâ23
MGSF2N02ELT1G AUF2010+SOT-232,8 Ampere, 20 Volt, NâChannel SOTâ23
MTD5P06VT4G AUF2010+SOT252Leistung MOSFET 5 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: DPAK 4 LEAD Single Gauge Oberflächenmontage; Anzahl der Pins: 4; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
MTP20N15EG AUF2010+TO-220Leistungs-MOSFET 150V 20A 130 mOhm Single N-Kanal TO-220
MTP23P06VG AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 23 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTB30N20G AUF2010+TO-263Leistungs-MOSFET 30 Ampere, 200 Volt N-Kanal Enhancement-Mode D2PAK; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTB35N15T4G AUF2010+TO-263Leistung MOSFET 37 Ampere, 150 Volt; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC

ONåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
MTD5P06VT4G AUF2010+SOT252Leistung MOSFET 5 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: DPAK 4 LEAD Single Gauge Oberflächenmontage; Anzahl der Pins: 4; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
MTP20N15EG AUF2010+TO-220Leistungs-MOSFET 150V 20A 130 mOhm Single N-Kanal TO-220
MTP23P06VG AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 23 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTB30N20G AUF2010+TO-263Leistungs-MOSFET 30 Ampere, 200 Volt N-Kanal Enhancement-Mode D2PAK; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTB35N15T4G AUF2010+TO-263Leistung MOSFET 37 Ampere, 150 Volt; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTB35N15G AUF2010+TO-263Leistung MOSFET 37 Ampere, 150 Volt; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTB5605PG AUF2010+TO-263Leistungs-MOSFET -60 Volt, -18,5 Ampere
NTB75N03L09 AUF11+TO-263Leistungs-MOSFET 75 Ampere, 30 Volt N-Kanal D2PAK; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 800
NTB75N03L09G AUF11+TO-263Leistungs-MOSFET 75 Ampere, 30 Volt N-Kanal D2PAK; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 800
NTB75N03L09T4 AUF11+TO-263Leistungs-MOSFET 75 Ampere, 30 Volt N-Kanal D2PAK; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 800
NTB75N03L09T4G AUF11+TO-263Leistungs-MOSFET 75 Ampere, 30 Volt N-Kanal D2PAK; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 800
NTD18N06LT4G AUF11+SOT-252CAT6A PLEUM WEISSES F/UTP-MASSENKABEL
NTD20N03L27T4G AUF11+SOT-252Leistungs-MOSFET
NTD20N06T4G AUF11+SOT-252Leistungs-MOSFET â60 V, â15,5 A, Single PâChannel, DPAK
NTD20P06LT4G AUF11+SOT-252Leistungs-MOSFET â60 V, â15,5 A, Single PâChannel, DPAK
NTD23N03RT4G AUF11+SOT-25223 Ampere, 25 Volt, NâKanal DPAK
NTD24N06LT4G AUF11+SOT-252Leistung MOSFET 24 Ampere, 60 Volt, Logikpegel N-Kanal DPAK; Gehäuse: DPAK 4 LEAD Single Gauge Oberflächenmontage; Anzahl der Pins: 4; Behälter: Band und Rolle;
NTD2955 AUF11+SOT-252Leistungs-MOSFET
NTD2955T4G AUF11+SOT-252Leistungs-MOSFET
NTD3055L104G AUF11+SOT-252Leistungs-MOSFET

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·