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IRLR3714ZTRLPBF IR10+SOT-263HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR3715ZCPBF IR10+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFR3704ZCTRPBF IR10+10+20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3704Z mit bleifreier Verpackung
IRFR3704ZCPBF IR10+10+20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR3704Z mit bleifreier Verpackung
LM2587T-12 NSC10+TO-2205Aæ¡æ¿çSIMPLE SWITCHERç ̈³åå ̈
LM258AD TI10+SOP-8åè¿ç®æ3/4大å ̈
ADC124S021CIMM NSC09+MSOP10å12ä1/2ï1/4500 kspsç1 MSPSçï1/4åæ¥éæ · A / Dè1/2¬æ¢å ̈
ADC122S706CIMT NSC09+14-TSSOPå12ä1/2ï1/4500 kspsç1 MSPSçï1/4åæ¥éæ · A / Dè1/2¬æ¢å ̈
ADC122S655CIMM NSC09+SOP-10å12ä1/2ï1/4200 kspsç500 kspsçï1/4åæ¥éæ · A / Dè1/2¬æ¢å ̈
ADC122S625CIMM NSC10+10-MSOPå12ä1/2ï1/4ä ̧º50 kspså°200 kSPSæ¶ï1/4åæ¥éæ · A / Dè1/2¬æ¢å ̈

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

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MGSF1N03LT1 AUF2010+SOT23-3Leistungs-MOSFET 30 V, 2,1 A, Single N Channel, SOT23 (30V,2.1A,Næ²é,SOT23å°è£ åçMOSFET)
NTR4503NT1G AUF2010+SOT23-3Leistungs-MOSFET 30 V, 2,5 A, einzelner N-Kanal, SOT23 (30 Vï1/42,5 AååçMOSFET)
NTR4503N AUF2010+SOT23-3Leistungs-MOSFET 30 V, 2,5 A, einzelner N-Kanal, SOT23 (30 Vï1/42,5 AååçMOSFET)
MMBF0201NLT1G AUF2010+SOT-23Leistung MOSFET 300 mAmpere, 20 Volt NâChannel SOTâ23
MGSF2N02ELT3G AUF2010+SOT-232,8 Ampere, 20 Volt, NâChannel SOTâ23
MGSF2N02ELT3 AUF2010+SOT-232,8 Ampere, 20 Volt, NâChannel SOTâ23
MGSF2N02ELT1G AUF2010+SOT-232,8 Ampere, 20 Volt, NâChannel SOTâ23
MGSF2N02ELT1 AUF2010+SOT-232,8 Ampere, 20 Volt, NâChannel SOTâ23
MTD5P06VT4G AUF2010+SOT252Leistung MOSFET 5 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: DPAK 4 LEAD Single Gauge Oberflächenmontage; Anzahl der Pins: 4; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500
MTP20N15EG AUF2010+TO-220Leistungs-MOSFET 150V 20A 130 mOhm Single N-Kanal TO-220
MTP23P06VG AUF2010+TO-220Leistung MOSFET 23 Ampere, 60 Volt; Gehäuse: TO-220 3-POLIGER STANDARD; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTB30N20G AUF2010+TO-263Leistungs-MOSFET 30 Ampere, 200 Volt N-Kanal Enhancement-Mode D2PAK; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTB35N15T4G AUF2010+TO-263Leistung MOSFET 37 Ampere, 150 Volt; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTB35N15G AUF2010+TO-263Leistung MOSFET 37 Ampere, 150 Volt; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene; Menge pro Behälter: 50
NTB5605PG AUF2010+TO-263Leistungs-MOSFET -60 Volt, -18,5 Ampere
NTB75N03L09 AUF11+TO-263Leistungs-MOSFET 75 Ampere, 30 Volt N-Kanal D2PAK; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 800
NTB75N03L09G AUF11+TO-263Leistungs-MOSFET 75 Ampere, 30 Volt N-Kanal D2PAK; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 800
NTB75N03L09T4 AUF11+TO-263Leistungs-MOSFET 75 Ampere, 30 Volt N-Kanal D2PAK; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 800
NTB75N03L09T4G AUF11+TO-263Leistungs-MOSFET 75 Ampere, 30 Volt N-Kanal D2PAK; Gehäuse: D2PAK 3 KABEL; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 800

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