åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
IRFR120TRR
| IR | 10+ | SOT252 | 8,4 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (8,4 A, 100 V, 0,270 Ω,,Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡) |
IRFR120TRPBF
| IR | 10+ | SOT252 | 8,4 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (8,4 A, 100 V, 0,270 Ω,,Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡) |
IRFR120TRLPBF
| IR | 10+ | SOT252 | 8,4 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (8,4 A, 100 V, 0,270 Ω,,Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡) |
IRFR120TRL
| IR | 10+ | SOT252 | 8,4 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (8,4 A, 100 V, 0,270 Ω,,Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡) |
IRFR120TR
| IR | 10+ | SOT252 | 8,4 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (8,4 A, 100 V, 0,270 Ω,,Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡) |
IRFR120PBF
| IR | 10+ | SOT252 | 8,4 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (8,4 A, 100 V, 0,270 Ω,,Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡) |
IRFR120
| IR | 10+ | SOT252 | 8,4 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (8,4 A, 100 V, 0,270 Ω,,Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡) |
IRFR210TRRPBF
| IR | 10+ | SOT252 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK |
IRFR210TRR
| IR | 10+ | SOT252 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK |
IRFR210TRPBF
| IR | 10+ | SOT252 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK |
IRFR210TRLPBF
| IR | 10+ | SOT252 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK |
IRFR210TRL
| IR | 10+ | SOT252 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK |
IRFR210TR
| IR | 10+ | SOT252 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK |
IRFR210PBF
| IR | 10+ | SOT252 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK |
IRFR210
| IR | 10+ | SOT252 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK |
IRFR214TRRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Kanal Leistungs-MOSFET (2.2A, 250V, 2.000 Î,N橲éå¢å1/4ºååçMOSFET) |
IRFR214TRR
| IR | 10+ | TO-252 | 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Kanal Leistungs-MOSFET (2.2A, 250V, 2.000 Î,N橲éå¢å1/4ºååçMOSFET) |
IRFR214TRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Kanal Leistungs-MOSFET (2.2A, 250V, 2.000 Î,N橲éå¢å1/4ºååçMOSFET) |
IRFR214TRL
| IR | 10+ | TO-252 | 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Kanal Leistungs-MOSFET (2.2A, 250V, 2.000 Î,N橲éå¢å1/4ºååçMOSFET) |
IRFR214TR
| IR | 10+ | TO-252 | 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Kanal Leistungs-MOSFET (2.2A, 250V, 2.000 Î,N橲éå¢å1/4ºååçMOSFET) |