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IGW25T120
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IGW25T120

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  • 产åå称ï1/4IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 50,0 A; IC(max) @
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IGW25T120 IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP™ 2-20kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 50,0 A; IC(max) @ 100°: 25,0 A

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IGW75N60T INFINEON09+TO-247IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 150,0 A; IC(max) @
IGW60T120 INFINEON09+TO-247IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 100,0 A; IC(max)
IGW50N60T INFINEON09+TO-247IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 100,0 A; IC(max) @
IGW40T120 INFINEON07+PBFTO-247IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 75,0 A; IC(max) @
IGW30N60T INFINEON07+PBFTO-247IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 60,0 A; IC(max) @ 1
IGW15T120 INFINEON07+PBFTO-247-3IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 30,0 A; IC(max) @
IGW08T120 INFINEON07+PBFTO-247-3IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOPâ¢2 2-20kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 16,0 A; IC(max)
IGW03N120H2 INFINEON07+PBFTO-247-3IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 9,6 A; IC(max)
IGP50N60T INFINEON07+PBFTO-220IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 100,0 A; IC(max) @
IGP30N60T INFINEON07+PBFTO-220IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 60,0 A; IC(max) @ 1

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

INFINEONåç产åæ ̈è


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IGW15T120 INFINEON07+PBFTO-247-3IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 30,0 A; IC(max) @
IGW08T120 INFINEON07+PBFTO-247-3IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOPâ¢2 2-20kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 16,0 A; IC(max)
IGW03N120H2 INFINEON07+PBFTO-247-3IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 9,6 A; IC(max)
IGP50N60T INFINEON07+PBFTO-220IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 100,0 A; IC(max) @
IGP30N60T INFINEON07+PBFTO-220IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 60,0 A; IC(max) @ 1
IGP15N60T INFINEON07+PBFTO-220IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 30,0 A; IC(max) @ 1
IGP10N60T INFINEON07+PBFTO-220IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 20,0 A; IC(max) @ 1
IGP06N60T INFINEON10+TO-220Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop- und Fieldstop-Technologie
IGP03N120H2 INFINEON10+TO-220IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 3,2 A; IC(max)
IGP01N120H2 INFINEON10+TO-220IGBT diskret; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: 3,2 A; IC(max)
IGD616IT1 INFINEON10+æ ̈¡å驱å ̈æ ̈¡å
IGD615AI INFINEON10+æ ̈¡å驱å ̈æ ̈¡å
IGD515EI INFINEON10+æ ̈¡å驱å ̈æ ̈¡å
IGD06N60T INFINEON10+TO-252å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO252-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: DPAK (TO-252); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 12
IGD01N120H2 INFINEON10+TO-252å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO252-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: DPAK (TO-252); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°
IGB30N60T INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 6
IGB15N60T INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 3
IGB03N120H2 INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25
IGB01N120H2 INFINEON10+TO-263å¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管GBT Discretes; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°
IGA03N120H2 INFINEON10+TO-220Få¿«éå1/4å ³å¿«æ¢å¤äºæ管 IGBT Discretes; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°: -; Ich

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