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DS25BR101TSDE
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DS25BR101TSDE

  • 所属类别：Vcom与Gamma缓冲器-Vcom-and-Gamma-Buffers
  • 产品名称：3.125 Gbps的LVDS缓冲器
  • 厂商：NSC
  • 生产批号：09+
  • 封装：8-LLP
  • 库存状态：有库存
  • 库存量：2000
  • 最低订购量：1
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  • 产品介绍

特点

  • 直流 - 3.125 Gbps的低抖动，高抗干扰性，低功耗运行
  • 接收均衡降低ISI抖动，由于媒体的损失
  • 发送预加重有损背板驱动器和电缆
  • 片上的100Ω输入和输出端接，最大限度地减少插入损耗和回波损耗，减少元件数量，并减少电路板空间。 DS25BR101消除片上输入端接，增加设计的灵活性。
  • 7千伏的LVDS I / O引脚上的ESD保护毗邻组件
  • 小型3毫米x 3毫米的LLP - 8节省空间的封装

说明

DS25BR100芯片及DS25BR101都是单通道的3.125 Gbps的LVDS缓冲器高速信号传输优化有损FR - 4印刷电路板的背板和平衡的金属电缆。 全差分信号路径，确保优异的信号完整性和抗噪声能力。

DS25BR100芯片与DS25BR101功能传输预加重（PE）和接收均衡（E​​Q），使他们作为中继器使用的理想选择。 其他类似的IO特性的LVDS器件包括以下产品。 DS25BR120功能优化的驱动装置使用四个级别的预加重，而DS25BR110功能作为优化的接收设备使用的四个层次的均衡。 DS25BR150是一个缓冲器/中继器与最低的功耗和功能不传输预加重，也不接收均衡。

宽输入共模范围可以接受LVDS，CML和LVPECL电平信号的接收器的输出电平为LVDS。 一个非常小的封装尺寸要求在黑板上最小的空间，而流过的引脚允许电路板的设计工作变得更为容易。 DS25BR100芯片的差分输入和输出是内部终止与一个100Ω的电阻，以便降低回波损耗，减少元件数量，并进一步减少电路板空间。 为了增加设计的灵活性上DS25BR101的100Ω输入端子已经被淘汰。 这使设计定制的互连的拓扑结构和布局调整的终止。


应用

  • 时钟和数据缓冲
  • 金属电缆驱动和均衡
  • FR - 4均衡

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