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BD679
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  • 产åå称ï1/4Plastique Medium-Power Silicon NPN Darlington(4.0A,40Wï1/480V,å¡æï1/4ä ̧çåçç¡ NPNè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)
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BD679
Plastique Medium-Power Silicon NPN Darlington(4.0A,40Wï1/480V,å¡æï1/4ä ̧çåçç¡ NPNè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)

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2SD414 NEC2010+TO-126Transistor en silicium planaire épitaxial NPN pour applications d’amplificateur de puissance basse fréquence 100V/120V, 1A (ç ̈äº100V/120Vï1/41Aä1/2é¢åçæ3/4大å ̈åºç ̈çNPNç¡ å¤å»¶å¹³é¢åæ¶ä1/2管)
2SD600K SANYO2010+TO-126Transistor en silicium planaire épitaxial NPN pour applications d’amplificateur de puissance basse fréquence 100V/120V, 1A (ç ̈äº100V/120Vï1/41Aä1/2é¢åçæ3/4大å ̈åºç ̈çNPNç¡ å¤å»¶å¹³é¢åæ¶ä1/2管)
Réf. 2SC2690A NEC2010+TO-126è¿æ¥å / NPNç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管 PNP/NPN TRANSISTOR ÉPITAXIAL EN SILICIUM
BD681 ON/ST2010+TO-126Transistors Darlington de puissance en silicium complémentaire(äºè¡¥ç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)
D6SB40 SHINDENGE09+TREMPERéç ̈æ’æμå ̈ï1/4600Vç6Aæ¡ï1/4
D6SB20H SHINDEN09+TREMPERéç ̈æ’æμå ̈ï1/4600Vç6Aæ¡ï1/4
D6SB20 SHINDENGE09+DIP-4éç ̈æ’æμå ̈ï1/4600Vç6Aæ¡ï1/4
D6SBAC100L SHINDENG08+TREMPERéç ̈æ’æμå ̈ï1/4600Vç6Aæ¡ï1/4
D6SB100 æ¥æ¬æ°çμ09+TREMPERéç ̈æ’æμå ̈ï1/4600Vç6Aæ¡ï1/4
D6SB10 SHINDENG09+TREMPERéç ̈æ’æμå ̈ï1/4600Vç6Aæ¡ï1/4

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KH208-8 Vitrohm24+TREMPERRésistance, 100 milliohms, 1/2 10%, 5 W, à sorties axiales, bobinées, puissance (Alt : KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+TREMPER©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
Référence EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈Connecteur 309, 3P+N+E / 5W - 60A - Connecteur - 277/480V keway 7h, IP67
HBL430B7W Câblage des locaux de Hubbell24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, ENTRÉE, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
Référence 621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈connecteur circulaire connecteur connecteur taille 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈relais - Enfichable, 4 pôles, bobine AC
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§çμå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 Connecteurs AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 Connecteurs AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 Connecteurs AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 Connecteurs AB24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Transformateur de contrôle et d’isolement monophasé
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATALOGIC22+TREMPERcapteurs photoélectriques
M393A8G40BB4-CWE Samsung21+BGASamsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+TREMPEROptocoupleur DC-IN 1-CH Transistor avec base DC-OUT 8 broches PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈

STåç产åæ ̈è


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TIP125 ST2010+TO-220Complemetaryç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管ï1/4äºè¡¥ç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管ï1/4
TIP117 ST2010+TO-220Transistorï Darlington épitaxial en silicium PNP1/4Construction monolithique avec résistance shunt à émetteur de base intégrée1/4(PNPç¡ å¤å»¶è3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管ï1/4å ç1/2®åºæ-å°æåæμçμé»åç»æï1/4)
ASTUCE 107 ST2010+TO-220Transistors Darlington de puissance en silicium complémentaire(äºè¡¥ç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)
BDW94C ST2010+TO-220TRANSISTORS DE PUISSANCE DARLINGTON EN SILICIUM
BDT64C ST2010+TO-220TRANSISTORS DE PUISSANCE DARLINGTON EN SILICIUM
BDX54C ST2010+TO-220å¤å»¶ç¡ æ¶ä1/2管è¿æ¥å ï1/4æ°è¿å ç¡ å¤å»¶æ¶ä1/2管ï1/4
BD652 ST2010+TO-220PNP SILICON POWER DARLINGTONS
CONSEIL147 ST2010+TO-220Transistors Darlington de puissance en silicium complet(äºè¡¥ç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)
CONSEIL137 ST2010+TO-220Transistors Darlington de puissance en silicium complet(äºè¡¥ç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)
BDW93C ST2010+TO-220Complemetaryç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管ï1/4äºè¡¥ç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管ï1/4
BDT65C ST2010+TO-220DIODE TVS 7.5V 1500W UNI 5% SMC
BDT63C ST2010+TO-220DIODE TVS 6.5V 1500W UNI 5% SMC
BDX53C ST2010+TO-220Transistor NPN en silicium complémentaire de moyenne puissance en plastique (8A,65Wï1/4100V,å¡æï1/4è¡¥¿åï1/4ç¡ NPNè3/43/4æé¡¿ä ̧çåçæ¶ä1/2管)
BD651 ST2010+TO-220ECONOLINE : RJ & RG - Double sortie à partir d’un seul rail d’entrée - Isolation 3kVDC et 4kVDC - Protection contre les courts-circuits continus en option - Solutions personnalisées A
BU806 ST2010+TO-220Transistor Darlington à commutation rapide NPN moyenne tension(NPNå¿«éå1/4å ³è3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)
TIP142 ST2010+TO-220Transistors Darlington de puissance en silicium complet(äºè¡¥ç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)
ASTUCE 132 ST2010+TO-220Transistors Darlington de puissance en silicium complet(äºè¡¥ç¡ åçè3/43/4æé¡¿æ¶ä1/2管)
N° 1N4148 ST10+DO-41äºæ管
NE555N ST10+DIP8Remplacement pour Intersil référence NE555N. Acheter auprès du fabricant autorisé Rochester Electronics
Réf. LM293N ST2010DIP-8COMPARATEURS BITENSION BASSE PUISSANCE ä1/2åçåçμåæ ̄è3/4å ̈

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