RSS订é
|
æçè ̄¢ä»·å
|
å ̈é ̈åå·
Sprache ändern
Englisch
España
Deutsch
Ð ÑÑÑкР̧й Ñз ÑкÂ
رÙØ³Ù Ø¹Ø±Ø ̈Ù
å3/4®è ̄ç3/4å¹'é¦é¡μ
产åç®å1/2
ç»è¥åç
ææ°å ¬å
ææ°å ̈æ
èμæä ̧è1/21/2
ICç3/4ç§
å ̈线é®ç
å ³äºæ们
èç³»æ们
产ååå·
产åå称
æ¹å·
åå
å°è£
æ°é
IRF6722STR1PBF
Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
2010+
IR
TO-252
å é¤
æ ̈çå§åï1/4
è ̄·å¡«åè系人å§å
å ¬å ̧å称ï1/4
å°åï1/4
çμè ̄ï1/4
è ̄·å¡«åçμè ̄å·ç
çμåé®ä»¶ï1/4
çμåé®ä»¶å°åæ 1/4å1/4ä ̧æ£ç¡ ®
é®ç1/4ï1/4
å¤æ³ ̈ï1/4
å ³äºæ们
å ¬å ̧ç®ä»
ä1/4ä ̧æå
èç³»æ们
ä ̧ä ̧æå¡
ä ̧»è¦äº§å
人åèμæº
æ³å3/4声æ
èç³»æ们
å ̧®å©ä ̧å¿
åæ è¿æ¥