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PSMN057-200P Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 39 A; Qgd (typisch): 37 nC; RDS(ein): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V10+NXP (Englisch)SOT78/TO-220 å é¤
LM3431MHX 3ééææμLED驱å ̈å ̈11+NSCTSSOP-EXP å é¤

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