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PMV117EN	30 V uTrenchMOSå¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2ç®¡é»è3/4çμå¹³ micro TrenchMOS(tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 2,5 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(	11+	NXP (Englisch)	SOT23-3		å é¤