æçè ̄¢ä»·å - è¿å£å å ̈ä»¶ä3/4åºåå ̈çç°è'§åæè'§ä1/4å¿æ ̧ é

äº§ååå·	äº§ååç§°	æ¹å·	åå	å°è£	æ°é
BSC100N10NSF	100,0 V 90,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm;	10+	INFINEON	TDS0N-8		å é¤