æçè ̄¢ä»·å - è¿å£å å ̈ä»¶ä3/4åºåå ̈çç°è'§åæè'§ä1/4å¿æ ̧ é

äº§ååå·	äº§ååç§°	æ¹å·	åå	å°è£	æ°é
IPB06CN10N	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,5 mOhm; RDS (ein) (max.)	2010+	INFINEON	TO-263		å é¤