æçè ̄¢ä»·å - è¿å£å å ̈ä»¶ä3/4åºåå ̈çç°è'§åæè'§ä1/4å¿æ ̧ é

äº§ååå·	äº§ååç§°	æ¹å·	åå	å°è£	æ°é
BSP89,115	N-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs (20 V bis 800 V); Gehäuse: PG-SOT223-4; Gehäuse: SOT-223; VDS (max): 240,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6.000,0 mOhm; RDS (ein) (	10+	PH3			å é¤