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MN158410L583 å ̈æ°åè£ ç°è'§01+PFANNEDIP-64 å é¤
SI3585DV-T1-E3 MOSFET; Polarität des Transistors: Dualer Öffner / P-Kanal; Spannung der Drain-Quelle, Vds:20V; Kontinuierlicher Ablassstrom, Id:19A; Einschaltwiderstand, Rds(ein):0,2ohm; Rds(an) 10+VISHAYTSOP-6 å é¤

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